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通道电子倍增器稳定性的研究

欧阳汉禄

欧阳汉禄. 通道电子倍增器稳定性的研究[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(6): 396-400.
引用本文: 欧阳汉禄. 通道电子倍增器稳定性的研究[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(6): 396-400.
Ouyang-Han-Lu . STUDY ON THE STABILITY OF CHANNEL ELECTRON MULTIPLIERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(6): 396-400.
Citation: Ouyang-Han-Lu . STUDY ON THE STABILITY OF CHANNEL ELECTRON MULTIPLIERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(6): 396-400.

通道电子倍增器稳定性的研究

STUDY ON THE STABILITY OF CHANNEL ELECTRON MULTIPLIERS

  • 摘要: 本文介绍了进行高铅玻璃通道电子倍增器(CEM)稳定性试验的方法与结果,得到了总累计计数约1011的寿命数据。用俄歇电子能谱仪分析了疲劳的CEM的活性表面结构与成份,发现了寿命试验过程中活性表面上碳的增加是CEM增益下降的主要原因,碳层的厚度约为50左右。为了提高CEM的耐烘烤性能,我们还研究了烘烤温度对增益和分辨率的影响,以及烘烤温度与还原温度的某些关系,发现在保持一定电阻率的条件下,还原温度越高,CEM的耐烘烤温度也越高。
      关键词:
    •  
  • Б.Н.Брагин,А.Е.Меламид,Итоги Иауки и Техники , 11(1979),102.[2]B. D. Klettke, N. D. Krym and W. G. Wolber, IEEE Trans. on NS, NS-17(1970), 72.[3]Y. Sakai, Surface Science, 86(1979), 359.
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-08-10
  • 刊出日期:  1983-11-19

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