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一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器

戴永胜

戴永胜. 一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(6): 629-632.
引用本文: 戴永胜. 一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(6): 629-632.
Dai Yongsheng. A NOVEL Ku-BAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH HEMT AND GaAs MMIC[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 629-632.
Citation: Dai Yongsheng. A NOVEL Ku-BAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH HEMT AND GaAs MMIC[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(6): 629-632.

一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器

A NOVEL Ku-BAND LOW NOISE AMPLIFIER WITH HEMT AND GaAs MMIC

  • 摘要: 本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7~12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。
  • 戴永胜等,固体电子学研究与进展,7(1987)2,150-156.[2]H. Rothe, W. Dahlke. Proc. IRE, 44(1956) 6, 811-818.[3]S. Lversen Proc. IEEE. 64(1975) 3. 540-542.[4]Sander Weinmb, IEEE Trans. on MTT, MTT-30 (1982)6. 849-853.[5]戴永胜,固体电子学研究与进展,7(1987)1,84-85.[6]戴永胜,固体电子学研究与进展,10(1990)4,406-407.
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-05-09
  • 修回日期:  1992-04-16
  • 刊出日期:  1992-11-19

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