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1992年 第14卷 第6期
1992, 14(6): 561-566.
摘要:
本文提出了一种用我国首创的DYL集成线性与或门设计成的模拟延迟线。这种延迟线不仅具有电路结构简单、信号传递速度快等特点,而且电路的延迟量可以用数字量直接控制。
本文提出了一种用我国首创的DYL集成线性与或门设计成的模拟延迟线。这种延迟线不仅具有电路结构简单、信号传递速度快等特点,而且电路的延迟量可以用数字量直接控制。
1992, 14(6): 567-573.
摘要:
本文建立了二维非线性耳蜗力学模型,并提出一种有效方法偏移技术来求解该模型。模拟结果表明,该模型较好地表征了一些生理学实验资料,如基底膜不同位置有不同的谐振频率和一些非线性特性,如位置的频率响应与输入强度有关的非线性特性。
本文建立了二维非线性耳蜗力学模型,并提出一种有效方法偏移技术来求解该模型。模拟结果表明,该模型较好地表征了一些生理学实验资料,如基底膜不同位置有不同的谐振频率和一些非线性特性,如位置的频率响应与输入强度有关的非线性特性。
1992, 14(6): 574-578.
摘要:
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
1992, 14(6): 579-587.
摘要:
本文提出了一种用于液晶显示的有源矩阵设计模型。文中讨论了有源矩阵设计的总体思想、有源矩阵器件的单管性能以及单元液晶电容充放电的物理过程;还考虑了影响有源矩阵性能的因素。在具体分析中,推导出设计用的计算公式。此模型是优化用于液晶显示的有源矩阵设计的一种尝试。
本文提出了一种用于液晶显示的有源矩阵设计模型。文中讨论了有源矩阵设计的总体思想、有源矩阵器件的单管性能以及单元液晶电容充放电的物理过程;还考虑了影响有源矩阵性能的因素。在具体分析中,推导出设计用的计算公式。此模型是优化用于液晶显示的有源矩阵设计的一种尝试。
1992, 14(6): 588-595.
摘要:
本文首次将有限域中的置换多项式引入跳频码的设计之中,并给出了若干类自相关和互相关特性都很好的全频道跳频码。例如文中第2类码是目前已知的各方面综合性能最好的全频道跳频码。
本文首次将有限域中的置换多项式引入跳频码的设计之中,并给出了若干类自相关和互相关特性都很好的全频道跳频码。例如文中第2类码是目前已知的各方面综合性能最好的全频道跳频码。
1992, 14(6): 596-601.
摘要:
本文首次提出了并元加性群陪集划分中的两个新概念,给出了它们的充分必要条件,并给予证明。籍此解决了对RM码实施的小数逻辑译码算法的可行性问题。
本文首次提出了并元加性群陪集划分中的两个新概念,给出了它们的充分必要条件,并给予证明。籍此解决了对RM码实施的小数逻辑译码算法的可行性问题。
1992, 14(6): 602-610.
摘要:
本文通过建立保持Hamming距离的同构,给出了研究Justesen等(1989)所构造的代数几何码的一般方法,并取得一些新的结果。本文在进行译码研究时,首次把同类型的较小的代数几何码的码字与错误位置多项式的值相对应,从而清晰地揭示了译码过程,以及纠错能力。本文还得到一般代数几何码维数的上界和下界。最后给出了一个容易理解的译码算法。此算法类似于RS码的Peterson译码算法。
本文通过建立保持Hamming距离的同构,给出了研究Justesen等(1989)所构造的代数几何码的一般方法,并取得一些新的结果。本文在进行译码研究时,首次把同类型的较小的代数几何码的码字与错误位置多项式的值相对应,从而清晰地揭示了译码过程,以及纠错能力。本文还得到一般代数几何码维数的上界和下界。最后给出了一个容易理解的译码算法。此算法类似于RS码的Peterson译码算法。
1992, 14(6): 611-617.
摘要:
本文研究了在不转换端口条件下,互易多端口网络S参数测量的统计回归方法。主要是逐次回归理论和广义Kajfez方法。文中给出了实验数据和处理结果。
本文研究了在不转换端口条件下,互易多端口网络S参数测量的统计回归方法。主要是逐次回归理论和广义Kajfez方法。文中给出了实验数据和处理结果。
1992, 14(6): 618-623.
摘要:
本文介绍了一种在简单吸波涂层Dallenbach涂层中插入频率选择表面而构成的新型复合吸波涂层;采用等效电路法和传输线理论分析了这种涂层的吸收性能,证明其性能大大优于简单吸波涂层。
本文介绍了一种在简单吸波涂层Dallenbach涂层中插入频率选择表面而构成的新型复合吸波涂层;采用等效电路法和传输线理论分析了这种涂层的吸收性能,证明其性能大大优于简单吸波涂层。
1992, 14(6): 624-628.
摘要:
本文提出了一种新的中心设计方法。该方法将一维搜索法与随机逼近优化法相结合,利用二次模型对参数空间上电路的响应进行近似,采用相关抽样和二次模型对设计参数的不同中心值进行Monte carlo分析,估计电路的成品率。实例表明,该方法收敛较快,进行优化设计所需时间较少。
本文提出了一种新的中心设计方法。该方法将一维搜索法与随机逼近优化法相结合,利用二次模型对参数空间上电路的响应进行近似,采用相关抽样和二次模型对设计参数的不同中心值进行Monte carlo分析,估计电路的成品率。实例表明,该方法收敛较快,进行优化设计所需时间较少。
1992, 14(6): 629-632.
摘要:
本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。
本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。
1992, 14(6): 633-638.
摘要:
本文提出了一种新的有源器件开关电流运算放大器(SIOA)。新元件的引入大大减化了电路的作图,十分便于开关电流(SI)电路的分析和综合。以开关电容(SC)电路为原型,导出了若干新的全极点和椭圆(二阶或三阶)SI电路。这些电路既可作为滤波节单独使用,也可用于级联设计以实现高阶转移函数。为了说明设计方法,给出了一个五阶SI低通滤波器设计例子。
本文提出了一种新的有源器件开关电流运算放大器(SIOA)。新元件的引入大大减化了电路的作图,十分便于开关电流(SI)电路的分析和综合。以开关电容(SC)电路为原型,导出了若干新的全极点和椭圆(二阶或三阶)SI电路。这些电路既可作为滤波节单独使用,也可用于级联设计以实现高阶转移函数。为了说明设计方法,给出了一个五阶SI低通滤波器设计例子。
1992, 14(6): 639-642.
摘要:
本文用群论的方法研究了所有理想变压器和所有回转器构成的集合GIT(2)。结果表明GIT(2)构成群,且为GL(2)群的子群。GIT(2)的结构反映了回转器与理想变压器之间的内在联系。最后考察了理想变压器的直积网络的性质。
本文用群论的方法研究了所有理想变压器和所有回转器构成的集合GIT(2)。结果表明GIT(2)构成群,且为GL(2)群的子群。GIT(2)的结构反映了回转器与理想变压器之间的内在联系。最后考察了理想变压器的直积网络的性质。
1992, 14(6): 643-647.
摘要:
本文首次将基于矩阵理论的直线法推广到曲线边界的二维电磁场问题。本文方法具有通用性,精度高,计算量小的优点。
本文首次将基于矩阵理论的直线法推广到曲线边界的二维电磁场问题。本文方法具有通用性,精度高,计算量小的优点。
1992, 14(6): 648-651.
摘要:
本文提出了应用边界元法求解TEM小室中高次模截止频率的方法,求出了多个TE和TM模式的截止频率值。对于一对称小室,由于利用了电壁和磁壁,所以仅研究横截面的四分之一部分就可以得到满意的结果,并且很容易判断其模式。文中列出了一些计算结果并与其它方法的数据进行了比较。
本文提出了应用边界元法求解TEM小室中高次模截止频率的方法,求出了多个TE和TM模式的截止频率值。对于一对称小室,由于利用了电壁和磁壁,所以仅研究横截面的四分之一部分就可以得到满意的结果,并且很容易判断其模式。文中列出了一些计算结果并与其它方法的数据进行了比较。
1992, 14(6): 652-656.
摘要:
本文讨论了涂覆有耗介质的矩形平板的电磁散射。涂层介质的参数可以任意。表达式中涉及的Maliuzhinets函数的计算,由于采用了多项式近似,避免了复平面内的积分,从而使计算时间大为减少。最后将理论计算结果与实验值相比较,两者吻合得很好。
本文讨论了涂覆有耗介质的矩形平板的电磁散射。涂层介质的参数可以任意。表达式中涉及的Maliuzhinets函数的计算,由于采用了多项式近似,避免了复平面内的积分,从而使计算时间大为减少。最后将理论计算结果与实验值相比较,两者吻合得很好。
1992, 14(6): 657-660.
摘要:
本文利用变分原理和Rayleigh-Ritz变分技术,并选择适当的基函数,给出了截顶圆波导截止波长的变分公式及计算机数值解。设计出性能良好的圆-矩阶梯过渡器。
本文利用变分原理和Rayleigh-Ritz变分技术,并选择适当的基函数,给出了截顶圆波导截止波长的变分公式及计算机数值解。设计出性能良好的圆-矩阶梯过渡器。
1992, 14(6): 661-665.
摘要:
本文应用X光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了经烧氢还原后铅硅酸盐玻璃(该玻璃就是微通道板次级电子发射层材料)中各元素浓度随深度的分布;还应用电子探针(EP)研究了体内元素分布,并讨论了不同烧氢还原温度所形成的发射层结构对微通道板电子倍增性能的影响;在此基础上作者提出了新的微通道板次级电子发射层结构。
本文应用X光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了经烧氢还原后铅硅酸盐玻璃(该玻璃就是微通道板次级电子发射层材料)中各元素浓度随深度的分布;还应用电子探针(EP)研究了体内元素分布,并讨论了不同烧氢还原温度所形成的发射层结构对微通道板电子倍增性能的影响;在此基础上作者提出了新的微通道板次级电子发射层结构。
