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1979年 第1卷 第3期
1979, 1(3): 99-109.
摘要:
本文论述无线电电子学的一个重要的发展方面信息与系统科学。这里的信息不局限于经典信息论;这里的系统主要指通用系统理论。通用系统理论是一种抽象的概括,不受物理模型的约束;它既是近代网络、近代控制论和近代通讯理论的有用工具,也是日益发展中系统工程各种课题的共同基础。本文从电路与系统发展角度论述一些有关问题,如信息与系统的辩证关系,系统基本单元的数学基础,网络与系统的分野,以及系统理论在电路与系统中的应用性和重要性等。
本文论述无线电电子学的一个重要的发展方面信息与系统科学。这里的信息不局限于经典信息论;这里的系统主要指通用系统理论。通用系统理论是一种抽象的概括,不受物理模型的约束;它既是近代网络、近代控制论和近代通讯理论的有用工具,也是日益发展中系统工程各种课题的共同基础。本文从电路与系统发展角度论述一些有关问题,如信息与系统的辩证关系,系统基本单元的数学基础,网络与系统的分野,以及系统理论在电路与系统中的应用性和重要性等。
1979, 1(3): 110-117.
摘要:
本文着重讨论了到目前为止可以应用的低压多尖端场发射阴极的发展情况,并从制备工艺的繁简和性能的优劣,比较了两种最有前途的阴极。
本文着重讨论了到目前为止可以应用的低压多尖端场发射阴极的发展情况,并从制备工艺的繁简和性能的优劣,比较了两种最有前途的阴极。
1979, 1(3): 118-128.
摘要:
本文提出了M个正交振子元相控圆阵天线的理论。它包括:阵远区辐射场型推导;径切正交振子元场型方向可控加权因子的导出,在此课题方面打破了有向元相控圆阵没有对称轴的传统观念,在这个基础上提出了正交振子元圆阵双重定向性质及空间辐射基本规律的分析;根据同相定向性质,提出形成多波束中心相控网络的理论结构。 这一理论,对短波、超短波、微波方面用一付圆阵天线在360方位范围内实现同时多方位接收,在工程上有着直接的指导意义,并对连续扫描大型圆阵及二维阵的分析也有一定参考价值。
本文提出了M个正交振子元相控圆阵天线的理论。它包括:阵远区辐射场型推导;径切正交振子元场型方向可控加权因子的导出,在此课题方面打破了有向元相控圆阵没有对称轴的传统观念,在这个基础上提出了正交振子元圆阵双重定向性质及空间辐射基本规律的分析;根据同相定向性质,提出形成多波束中心相控网络的理论结构。 这一理论,对短波、超短波、微波方面用一付圆阵天线在360方位范围内实现同时多方位接收,在工程上有着直接的指导意义,并对连续扫描大型圆阵及二维阵的分析也有一定参考价值。
1979, 1(3): 129-140.
摘要:
本文介绍了L波段、波导型大功率双TR开关管的设计原理和实验结果。该管采用了新型的分离插入式结构。测试中还采用了行波谐振环的高功率模拟。结果表明,该管可以在峰值功率为2MW、平均功率为60kW下工作。其它主要参量是:电弧损耗为0.2dB,恢复时间为50S以下,频带宽度为78％,插入冷损耗为0.6dB以下,平均漏过功率小于0.5mW,波尖能量小于3erg。
本文介绍了L波段、波导型大功率双TR开关管的设计原理和实验结果。该管采用了新型的分离插入式结构。测试中还采用了行波谐振环的高功率模拟。结果表明,该管可以在峰值功率为2MW、平均功率为60kW下工作。其它主要参量是:电弧损耗为0.2dB,恢复时间为50S以下,频带宽度为78％,插入冷损耗为0.6dB以下,平均漏过功率小于0.5mW,波尖能量小于3erg。
1979, 1(3): 141-143.
摘要:
正 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显
正 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显
1979, 1(3): 144-145.
摘要:
正 随着磁记录向高密度化发展,国外记录波长最短已达0.5m,越来越需要有高质量的磁记录介质。目前在磁记录介质中,-Fe2O3已得到广泛的使用,这是因为-Fe2O3制造方便,价格便宜,稳定性好。但是由于-Fe2O3的矫顽力较低,分散性也不很好,不能满足高密度磁带记录的要求。为了满足高密度磁带的需要,人们已经对于高矫顽力的材料进行广泛的研究。掺钴型-Fe2O3、Fe3O4磁粉虽然能够提高矫顽力达1000○e左右,但是由于(1)磁晶各向异性强烈地依赖于时间和温度,(2)在压力下的磁滞伸缩损耗大,(3)取
正 随着磁记录向高密度化发展,国外记录波长最短已达0.5m,越来越需要有高质量的磁记录介质。目前在磁记录介质中,-Fe2O3已得到广泛的使用,这是因为-Fe2O3制造方便,价格便宜,稳定性好。但是由于-Fe2O3的矫顽力较低,分散性也不很好,不能满足高密度磁带记录的要求。为了满足高密度磁带的需要,人们已经对于高矫顽力的材料进行广泛的研究。掺钴型-Fe2O3、Fe3O4磁粉虽然能够提高矫顽力达1000○e左右,但是由于(1)磁晶各向异性强烈地依赖于时间和温度,(2)在压力下的磁滞伸缩损耗大,(3)取
1979, 1(3): 146-封三.
摘要:
正 用行波谐振环的谐振方法将功率放大若干倍后,对TR开关管或其他微波元件进行高功率模拟测试的突出优点是,使用较低的微波功率源就能够进行高功率测试。这样的方法既方便又经济。在国外,应用这种方法早已相当普遍,不仅用于测试元件,而且还用在微波加热、考贝烘干和电子加速器等方面。在国内,则还没有见到有关这方面的工作和报道
正 用行波谐振环的谐振方法将功率放大若干倍后,对TR开关管或其他微波元件进行高功率模拟测试的突出优点是,使用较低的微波功率源就能够进行高功率测试。这样的方法既方便又经济。在国外,应用这种方法早已相当普遍,不仅用于测试元件,而且还用在微波加热、考贝烘干和电子加速器等方面。在国内,则还没有见到有关这方面的工作和报道
