高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况

卞彭

卞彭. 关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况[J]. 电子与信息学报, 1979, 1(3): 110-117.
引用本文: 卞彭. 关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况[J]. 电子与信息学报, 1979, 1(3): 110-117.

关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况

  • 摘要: 本文着重讨论了到目前为止可以应用的低压多尖端场发射阴极的发展情况,并从制备工艺的繁简和性能的优劣,比较了两种最有前途的阴极。
      关键词:
    •  
  • 卞彭,关于相对论性电子束二极管的报告,即将在本刊发表.[8]A. T. Chapman .and J.K.Cochran, N77-19317 (1977).[11]A .T. Chappman, J. F. Benzel, J. K. Cochian, R.K.Feeney F. W. Liug and J. D. Norgard, Report No. 4, ARDA Contract DAAH 01-71-1046,(1972).[12]L. Heynick, E. R. Westerburg, C. C. Hartelius, Jr. and R.E. Lee, IEEE Trans, ED-22(1975),400.[13]R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc.,,A119(1928).173.[15]J. P. Barbour, F.M.Charbonnier, L. F. Garrett and W. P. Dyke, 4th Nat. Conf. Tube Tech.,(1958), p. 133.[19]J. Shelton,美专利3,783,325, (1974).[20]J. Shelton,美专利3,931,517, (1976).[21]J. Shelton,美专利3,931,519, (1976).
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1471
  • HTML全文浏览量:  92
  • PDF下载量:  515
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1979-02-26
  • 刊出日期:  1979-07-19

目录

    /

    返回文章
    返回