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关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况

卞彭

卞彭. 关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况[J]. 电子与信息学报, 1979, 1(3): 110-117.
引用本文: 卞彭. 关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况[J]. 电子与信息学报, 1979, 1(3): 110-117.

关于用低压多尖端场发射体作实用冷阴极的发展情况

  • 摘要: 本文着重讨论了到目前为止可以应用的低压多尖端场发射阴极的发展情况,并从制备工艺的繁简和性能的优劣,比较了两种最有前途的阴极。
      关键词:
    •  
  • 卞彭,关于相对论性电子束二极管的报告,即将在本刊发表.[8]A. T. Chapman .and J.K.Cochran, N77-19317 (1977).[11]A .T. Chappman, J. F. Benzel, J. K. Cochian, R.K.Feeney F. W. Liug and J. D. Norgard, Report No. 4, ARDA Contract DAAH 01-71-1046,(1972).[12]L. Heynick, E. R. Westerburg, C. C. Hartelius, Jr. and R.E. Lee, IEEE Trans, ED-22(1975),400.[13]R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc.,,A119(1928).173.[15]J. P. Barbour, F.M.Charbonnier, L. F. Garrett and W. P. Dyke, 4th Nat. Conf. Tube Tech.,(1958), p. 133.[19]J. Shelton,美专利3,783,325, (1974).[20]J. Shelton,美专利3,931,517, (1976).[21]J. Shelton,美专利3,931,519, (1976).
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-02-26
  • 刊出日期:  1979-07-19

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