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标准数字工艺下16位精度低压低功耗模数调制器设计

殷树娟 李翔宇 孙义和

殷树娟, 李翔宇, 孙义和. 标准数字工艺下16位精度低压低功耗模数调制器设计[J]. 电子与信息学报, 2010, 32(2): 464-469. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.00116
引用本文: 殷树娟, 李翔宇, 孙义和. 标准数字工艺下16位精度低压低功耗模数调制器设计[J]. 电子与信息学报, 2010, 32(2): 464-469. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.00116
Yin Shu-juan, Li Xiang-yu, Sun Yi-he. Design of 16 bit Low-Voltage Low-Power Modulator with Standard Digital Technology[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2010, 32(2): 464-469. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.00116
Citation: Yin Shu-juan, Li Xiang-yu, Sun Yi-he. Design of 16 bit Low-Voltage Low-Power Modulator with Standard Digital Technology[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2010, 32(2): 464-469. doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.00116

标准数字工艺下16位精度低压低功耗模数调制器设计

doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.00116

Design of 16 bit Low-Voltage Low-Power Modulator with Standard Digital Technology

  • 摘要: 针对输入信号频率在20 Hz~24 kHz范围的音频应用,该文采用标准数字工艺设计了一个1.2 V电源电压16位精度的低压低功耗模数调制器。在6 MHz采样频率下,该调制器信噪比为102.2 dB,整个电路功耗为2.46 mW。该调制器采用一种伪两级交互控制的双输入运算放大器构成各级积分器,在低电源电压情况下实现高摆率高增益要求的同时不会产生更多功耗。另外,采用高线性度、全互补MOS耗尽电容作为采样、积分电容使得整个电路可以采用标准数字工艺实现,从而提高电路的工艺兼容性、降低电路成本。与近期报道的低压低功耗模数调制器相比,该设计具有更高的品质因子FOM。
  • Yao Libin. Low-power low-voltage sigma-delta modulators in nanometer CMOS [D]. Catholic University Leuven, Belgium, 2006.[2]Jeongjin R. High-Gain Class-AB OTA with Low Quiescent[3]Current [J]. Analogous Circuit and Signal Processing, 2006, 47(2): 225-228.[4]David Baez-Villegas and Jose Silva-Martinez. Quasi rail-to- rail very low-voltage opamp with a single pMOS input differential pair [J].IEEE Transactions on Circuits and SystemsII: Express Briefs.2006, 53(11):1175-1179[5]Juan M, Carrillo, and Guido Torelli. 1-V rail-to-rail CMOS opamp with improved bulk-driven input stage [J].IEEE Journal of Solid-State Circuits.2007, 42(3):508-517[6]Yin Shujuan and Sun Yihe. Full compensated depletion-mode MOS-capacitor for pure digital technology low voltage switched-capacitor applications [C]. IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits. Taiwan, Dec. 2007: 913-916.[7]Goes J and Vaz B. A 0.9 V modulator with 80 dB SNDR and 83 dB DR using a single-phase technique [C]. IEEE ISSCC Dig. Tech. San Francisco, 2006: 74-75.[8]Roh J and Byun S. A 0.9 V 60 W 1 bit fourth-order delta-sigma modulator with 83-dB dynamic range [J]. IEEE Journal of Solid-state Circuits, 2008, 43(2): 225-228.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-21
  • 修回日期:  2009-05-14
  • 刊出日期:  2010-02-19

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