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基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

曹寒梅 杨银堂 蔡伟 陆铁军 王宗民

曹寒梅, 杨银堂, 蔡伟, 陆铁军, 王宗民. 基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源[J]. 电子与信息学报, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
引用本文: 曹寒梅, 杨银堂, 蔡伟, 陆铁军, 王宗民. 基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源[J]. 电子与信息学报, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
Cao Han-mei, Yang Yin-tang, Cai Wei, Lu Tie-jun, Wang Zong-min. High Performance CMOS Bandgap Reference Source Based on Negative Feedback Clamp Technique[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
Citation: Cao Han-mei, Yang Yin-tang, Cai Wei, Lu Tie-jun, Wang Zong-min. High Performance CMOS Bandgap Reference Source Based on Negative Feedback Clamp Technique[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886

基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
基金项目: 

国家自然科学基金(60476046,60676009)资助课题

High Performance CMOS Bandgap Reference Source Based on Negative Feedback Clamp Technique

  • 摘要: 该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18m标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15~70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz~1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7V/sqrt(Hz)。
  • Kuijk K E. A precision reference voltage source[J].IEEE J.Solid-State Circuits.1973, 8(3):222-226[2]Xu Wen-dan.[J].Xu Dong-lai, and French Ian. A highperformance CMOS band-gap reference circuit design. IEEEInternational Workshop on VLSI Design Video Tech.,Suzhou.2005,:-[3]秦波, 贾晨, 陈志良等. 1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源. 半导体学报, 2006, 27(11): 2035-2039.Qin Bo, Jia Chen, and Chen Zhi-liang, et al.. A 1V MNCbandgap reference with high temperature stability. ChineseJournal of Semiconductors, 2006, 27(11): 2035-2039.[4]Banba H, Shi-ga H, and Mezawa A, et al.. A CMOS bandgapreference circuit with sub-1-V operation[J].IEEE J. Solid-StateCircuits.1999, 34(5):670-674[5]陈贵灿, 程军, 张瑞智. 模拟CMOS 集成电路设计[M]. 西安交通大学出版社, 2003: 318.Chen Gui-can, Cheng Jun, Zhang Rui-zhi. Analog CMOSIntegrated Cirucit Design. Xian Jiaotong UniversityPublisher, 2003: 318.[6]Xiao Du.[J].Li Wei-min, and Zhu Xiao-fei, et al.. Acurvature-compensated bandgap reference with improvedPSRR. IEEE Int. Workshop VLSI Design Video Tech.,Suzhou.2005,:-[7]刘帘曦, 杨银堂, 朱樟明. 基于MOSFET 失配分析的低压高精度CMOS 带隙基准源. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 2005, 32(3): 348-352.Liu Lian-xi, Yang Yin-tang, and Zhu Zhang-min. A lowvoltage and high accuracy CMOS bandgap reference byconsidering mismatch of MOSFETs. Journal of XidianUniversity, 2005, 32(3): 348-352.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-05
  • 修回日期:  2007-09-17
  • 刊出日期:  2008-06-19

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