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基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

曹寒梅 杨银堂 蔡伟 陆铁军 王宗民

曹寒梅, 杨银堂, 蔡伟, 陆铁军, 王宗民. 基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源[J]. 电子与信息学报, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
引用本文: 曹寒梅, 杨银堂, 蔡伟, 陆铁军, 王宗民. 基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源[J]. 电子与信息学报, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
Cao Han-mei, Yang Yin-tang, Cai Wei, Lu Tie-jun, Wang Zong-min. High Performance CMOS Bandgap Reference Source Based on Negative Feedback Clamp Technique[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
Citation: Cao Han-mei, Yang Yin-tang, Cai Wei, Lu Tie-jun, Wang Zong-min. High Performance CMOS Bandgap Reference Source Based on Negative Feedback Clamp Technique[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2008, 30(6): 1517-1520. doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886

基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.00886
基金项目: 

国家自然科学基金(60476046,60676009)资助课题

High Performance CMOS Bandgap Reference Source Based on Negative Feedback Clamp Technique

  • 摘要: 该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18m标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15~70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz~1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7V/sqrt(Hz)。
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-05
  • 修回日期:  2007-09-17
  • 刊出日期:  2008-06-19

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