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在夹心结构-Si:H膜中的反常光电导响应

海宇涵 周忠毅 韩泾鸿

海宇涵, 周忠毅, 韩泾鸿. 在夹心结构-Si:H膜中的反常光电导响应[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(6): 382-387.
引用本文: 海宇涵, 周忠毅, 韩泾鸿. 在夹心结构-Si:H膜中的反常光电导响应[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(6): 382-387.
Hai Yu-Han, Zhou Zhong-Yi, Han Jing-Hong. THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF -Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(6): 382-387.
Citation: Hai Yu-Han, Zhou Zhong-Yi, Han Jing-Hong. THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF -Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(6): 382-387.

在夹心结构-Si:H膜中的反常光电导响应

THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF -Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE

  • 摘要: 在不同场强和照度下,测量了一系列夹心结构-Si∶H膜的光电导响应曲线,发现在较弱场强下,上升曲线和下降曲线有反常现象。作者分析了光电导响应曲线,指出无论是上升曲线还是下降曲线,都可以分解为由两个变化过程组成:一个尖形和一个类指数形。通过对零场和极弱场强响应的研究,表明上述现象可用光照或停止光照后空间电荷分布的变化来解释。本文对具有低迁移率和高电阻率的光敏材料具有普遍的意义。
      关键词:
    •  
  • О.К.Гасанов и др.,ФТТ, 4(1970), 558.[2]海宇涵、周忠毅,电子学通讯,4(1982), 248.[3]D.E. Carlson, IEEE Trans. on ED, ED-24(:977),449.[4]D.E. Carlson et al., RCA Rev., 38(1977), 211.[6]P, Mark et al., J. Appl. Phys., 33(1962), 205.[7]A. Rose.[J]. Concepts in Photoconductivity and Allied Problems.1963,John Wiley Sons:-[8]R. Williams et al., RCA Rev., 40(1979), 371.[9]王宗畔等, ITO-a-Si异质结太阳能电池,第二届全国非晶态材料和物理学术讨论会报告,1980.
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-03-18
  • 刊出日期:  1983-11-19

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