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硅与玻璃静电封接机理的研究

冯景星

冯景星. 硅与玻璃静电封接机理的研究[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(6): 661-664.
引用本文: 冯景星. 硅与玻璃静电封接机理的研究[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(6): 661-664.
Feng Jingxing. THE STUDY ON SILICON AND GLASS ELECTROSTATIC BONDING MECHANISM[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(6): 661-664.
Citation: Feng Jingxing. THE STUDY ON SILICON AND GLASS ELECTROSTATIC BONDING MECHANISM[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(6): 661-664.

硅与玻璃静电封接机理的研究

THE STUDY ON SILICON AND GLASS ELECTROSTATIC BONDING MECHANISM

  • 摘要: 本文利用板壳理论,分析在硅与玻璃静电封接时,硅与玻璃界面间的静电力与硅片弯曲应力的关系;推导出封接成功的条件,即界面间距d与电压V,刚度D,挠度等的关系,并进行了实验验证。
  • Barth W. Sensors and System, 1982, 1(1):22-23.[2]冯景星.半导体敏感器件,1987,9(1); 34-36.[3]冯景星.扩散硅压力传感器中的几项新技术.STC89首届全国敏感元件与传感器学术会议论文集,北京:1989,11,194-197.
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-05-31
  • 修回日期:  1994-10-24
  • 刊出日期:  1995-11-19

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