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用紫外光表面处理方法清除砷化镓表面的碳氢化合物

谈凯声 李建平

谈凯声, 李建平. 用紫外光表面处理方法清除砷化镓表面的碳氢化合物[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(2): 155-157.
引用本文: 谈凯声, 李建平. 用紫外光表面处理方法清除砷化镓表面的碳氢化合物[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(2): 155-157.
Tan Kaisheng, Li Jianping. UV SURFACE CLEANING METHOD FOR REMOVING HYDROCARBONS FROM GaAs SURFACE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(2): 155-157.
Citation: Tan Kaisheng, Li Jianping. UV SURFACE CLEANING METHOD FOR REMOVING HYDROCARBONS FROM GaAs SURFACE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(2): 155-157.

用紫外光表面处理方法清除砷化镓表面的碳氢化合物

UV SURFACE CLEANING METHOD FOR REMOVING HYDROCARBONS FROM GaAs SURFACE

  • 摘要: 正 1.引言 获得一个洁净的表面对Ⅲ-Ⅴ族化合物光电阴极、薄膜科学、热压粘结、半导体外延技术以及其它现代表面工艺是至关重要的。物体表面吸附的污染物是各种各样的。最常见的是氧化物、碳氢化合物和各种气体。为了清除这些吸附物,人们曾采取多种措施,如用各种化学溶剂清洗、真空加热清洁、电子轰击、等离子体轰击以及氩离子溅射等等。这些清洁方法都各起其特有的作用。如化学溶剂和真空加热清洁方法,能
      关键词:
    •  
  • I. Shiota, et al., J. Eletrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology,124(1977), 155.[2]Y. Z. Lui, J. L. Moli and W.E. Spicer, Appl. Phys. Lett., 14 (1969), 275.[3]S. Garbe and G. Frank, Solid-State Commun., 7(1969), 615.[4]H. W. Prengle, et al., Hydrocarbon Processing, pp. 82-86, Oct. 1975.[5]J. G. Clavert and J. N. Pitts, Jr.,Photochemistry, pp. 205-209, 681-705.John Wiley and Sons, New York. 1965.[6]J.R.McNesby and H. Okabe, Advances in Photoobhemistry, Vol. 3, 1964, pp. 166-174.[7]J.R.Vig, UV/Ozon Cleaning of Surfaces: A Review, Private communication.
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-02-07
  • 修回日期:  1985-08-29
  • 刊出日期:  1986-03-19

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