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深能级中心的电场增强载流子产生效应

丁扣宝 张秀淼

丁扣宝, 张秀淼. 深能级中心的电场增强载流子产生效应[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(1): 61-66.
引用本文: 丁扣宝, 张秀淼. 深能级中心的电场增强载流子产生效应[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(1): 61-66.
Ding Koubao, Zhang Xiumiao. THE FIELD ENHANCED CARRIER GENERATION EFFECT OF DEEP LEVEL CENTERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(1): 61-66.
Citation: Ding Koubao, Zhang Xiumiao. THE FIELD ENHANCED CARRIER GENERATION EFFECT OF DEEP LEVEL CENTERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(1): 61-66.

深能级中心的电场增强载流子产生效应

THE FIELD ENHANCED CARRIER GENERATION EFFECT OF DEEP LEVEL CENTERS

  • 摘要: 本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有关的实验结果。
  • Zerbst M Z. Angew. Pbys., 1966, 22(1): 30-33.[2]Schroder D K, Nathanson H C. Solid-St. Electron., 1970,15(5): 577-581.[3]Heiman F P. IEEE Trans. on ED, 1967, ED-14(11):781-784.[4]Rabbani K S, Pennock J L, Lamb D R. Solid-Si. Electron., 1978, 21(11-12): 1577-1582.[5]Calzolan P U, Graffi S, Morandi C. Solid-St, Electron., 1974, 17(10): 1001-1011.[6]Simmons J G, Wei L S, Solid-St. Electron., 1976, 1912): 153-158.[7]Rabbani K S, Solid-St. Electron., 1987, 30(6): 607-613.[8]Poole H H, Phil. Mag., 1921, 42(2): 488-490.[9]Frenkel J. Phys[J].Rev.1938, 54(7):647-648
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-06-30
  • 修回日期:  1993-01-07
  • 刊出日期:  1994-01-19

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