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掺锗直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究

冀志江 张维连 王志军

冀志江, 张维连, 王志军. 掺锗直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(2): 217-220.
引用本文: 冀志江, 张维连, 王志军. 掺锗直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究[J]. 电子与信息学报, 1996, 18(2): 217-220.
Ji Zhijiang, Zhang Weilian, Wang Zhijun. THE STUDY OF THE FORMATION OF DENUDED ZONE IN CZSi BY INTERNAL GETTERING THREE-STEP ANNEALING[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(2): 217-220.
Citation: Ji Zhijiang, Zhang Weilian, Wang Zhijun. THE STUDY OF THE FORMATION OF DENUDED ZONE IN CZSi BY INTERNAL GETTERING THREE-STEP ANNEALING[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1996, 18(2): 217-220.

掺锗直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究

THE STUDY OF THE FORMATION OF DENUDED ZONE IN CZSi BY INTERNAL GETTERING THREE-STEP ANNEALING

  • 摘要: 运用高温-低温-高温三步退火的本征吸除工艺研究了锗的存在对硅片清洁区形成的影响。发现直拉硅中杂质锗的存在可促进氧的外扩散,抑制氧沉淀的发生并可形成较宽的清洁区。
  • 刘莉,秦福,等.92年全国集成电路硅材料会议论文集.杭州:1992, 81-84.[2]Tetuo Fukuda, Akira Ohsawa. Appl. Phys. Lett., 1992, 60(10): 1184-1186.[3]Sun Q, Yao K H, et al. J. Appl. Phys, 1990, 67: 9313-4319.[4]Gosclc U. Appl. Phys. A, 1982, 28: 79-82.
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-07-16
  • 修回日期:  1995-04-12
  • 刊出日期:  1996-03-19

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