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高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析

柯导明 柯晓黎 冯耀兰 童勤义

柯导明, 柯晓黎, 冯耀兰, 童勤义. 高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(1): 8-17.
引用本文: 柯导明, 柯晓黎, 冯耀兰, 童勤义. 高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(1): 8-17.
Ke Daoming, Feng Yaolan, Tong Qinyi, Ke Xiaoli. TRANSIENT CHARACTERISTIC ANALYSIS OF HIGH TEMPERATURE CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(1): 8-17.
Citation: Ke Daoming, Feng Yaolan, Tong Qinyi, Ke Xiaoli. TRANSIENT CHARACTERISTIC ANALYSIS OF HIGH TEMPERATURE CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(1): 8-17.

高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析

TRANSIENT CHARACTERISTIC ANALYSIS OF HIGH TEMPERATURE CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS

  • 摘要: 本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。
  • Shoucair F S, et al. IEEE Trans. on CHMT, 1984, CHMT-7(1): 146-153.[2]张廷庆,等.半导体集成电路.上海:上海科技出版社,1986,第165,166,168页.[3]Shoucair F S, et al.[J]. Microelectronics Reliability.1984,24(3):465-[4]Shoucair F S, et al. IEEE Trans. on ED, 1988, ED-35(11): 2424-2426.[5]施敏.半导体器件物理.北京:电子工业出版社,1987,第60页.[6]童勤义.超大规模集成物理学导论.北京:电子工业出版社,1988,第260页.
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-06-29
  • 修回日期:  1993-09-06
  • 刊出日期:  1994-01-19

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