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用堆集掩模技术制造变厚超导微桥

时贤庆 杨彩炳 祁宜芝 曹效能 马金娣 黄继章

时贤庆, 杨彩炳, 祁宜芝, 曹效能, 马金娣, 黄继章. 用堆集掩模技术制造变厚超导微桥[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 473-476.
引用本文: 时贤庆, 杨彩炳, 祁宜芝, 曹效能, 马金娣, 黄继章. 用堆集掩模技术制造变厚超导微桥[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 473-476.
Shi Xiangqing, Yang Caibing, Qi Yizhi, Cao Xiaoneng, Ma Jindi, Huang Jizhang. FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 473-476.
Citation: Shi Xiangqing, Yang Caibing, Qi Yizhi, Cao Xiaoneng, Ma Jindi, Huang Jizhang. FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 473-476.

用堆集掩模技术制造变厚超导微桥

FABRICATION OF VARIABLE THICKNESS SUPERCONDUCTING MICROBRIDGES WITH THE PILE-UP MASKING TECHNIQUE

  • 摘要: 本文介绍了一种制作变厚超导微桥的新方法。用此方法变厚超导微桥通过一次光刻、用三个坩埚、不必打开镀膜机就能制成。利用普通接触式紫外曝光设备和斜蒸发技术,使桥区达到亚微米尺寸。并获得了无迴滞的直流I-V特性。
      关键词:
    •  
  • P. C.Chao et al., IEEE Trans. on EDL, EDL-3(1982), 286.[2]L. B. Holdeman et al., J. Vac. Sci. Technol., 4(1985), 956.[3]时贤庆等,中国真空学会第5届真空应用学术会议论文集,1986, 133.[4]M. Hatzakis et al., IBM J. Res. Develop., 24(1980), 452.
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-01-08
  • 修回日期:  1987-03-17
  • 刊出日期:  1987-09-19

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