高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

电子束轰击半导体偏转调制放大器带状层流电子束的设计

屠聿善

屠聿善. 电子束轰击半导体偏转调制放大器带状层流电子束的设计[J]. 电子与信息学报, 1981, 3(2): 110-117.
引用本文: 屠聿善. 电子束轰击半导体偏转调制放大器带状层流电子束的设计[J]. 电子与信息学报, 1981, 3(2): 110-117.
Tu Yu-Shan. DESIGN OF LAMINAR FLOW ELECTRON BEAM OF RECTAU-GULAR CROSS-SECTION FOR THE DEFLECTION MODULATED ELECTRON-BOMBARDED SEMICONDUCTOR AMPLIFIER[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1981, 3(2): 110-117.
Citation: Tu Yu-Shan. DESIGN OF LAMINAR FLOW ELECTRON BEAM OF RECTAU-GULAR CROSS-SECTION FOR THE DEFLECTION MODULATED ELECTRON-BOMBARDED SEMICONDUCTOR AMPLIFIER[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1981, 3(2): 110-117.

电子束轰击半导体偏转调制放大器带状层流电子束的设计

DESIGN OF LAMINAR FLOW ELECTRON BEAM OF RECTAU-GULAR CROSS-SECTION FOR THE DEFLECTION MODULATED ELECTRON-BOMBARDED SEMICONDUCTOR AMPLIFIER

  • 摘要: 本文给出了用于电子束轰击半导体器件的带状层流电子束的设计考虑、计算机分析和实验结果。采用特殊校正透镜获得了截面为13mm2的带状层流束。校正透镜的使用对于有限宽度带状束的实现是一个重要措施,可推广应用于其他场合。
      关键词:
    •  
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2034
  • HTML全文浏览量:  179
  • PDF下载量:  562
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1979-12-08
  • 刊出日期:  1981-04-19

目录

    /

    返回文章
    返回