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GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

邬祥生 杨易 陈沛然 徐少华 李允平 胡道珊

邬祥生, 杨易, 陈沛然, 徐少华, 李允平, 胡道珊. GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 242-247.
引用本文: 邬祥生, 杨易, 陈沛然, 徐少华, 李允平, 胡道珊. GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 242-247.
Wu Xiang-Sheng, Yang Yi, Chen Pei-Ran, Xu Shao-Hua, Li Yun-Ping, Hu Dao-Shan. MISPLACED p-n JUNCTION IN D. H. GaInAsP/InP WAFER GROWN BY LPE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(4): 242-247.
Citation: Wu Xiang-Sheng, Yang Yi, Chen Pei-Ran, Xu Shao-Hua, Li Yun-Ping, Hu Dao-Shan. MISPLACED p-n JUNCTION IN D. H. GaInAsP/InP WAFER GROWN BY LPE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(4): 242-247.

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

MISPLACED p-n JUNCTION IN D. H. GaInAsP/InP WAFER GROWN BY LPE

  • 摘要: 用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。
      关键词:
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  • Y.Takamashi, et al., Jap. J. Appl. Phys., 18(1979).1615.[3]K.Iga, et al., IEEE J. on QE. QE-15 (1979), 707.[5]J. J. Coloman, et al., Electron Lett., 14(1978), 558.[6]邬祥生等,液相外延生长1. 3 um, GaInAsP/InP双异质结,半导体学报,(待发表)。[7]H. Grothe, et al.,Electron Lett., 15(1979), 702.[10]陈自姚等,半导体光电,1981年,第2期,第207页.[11]H.D. Law., IEEE. J. on QE, QE-18(1979), 549.
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-04-11
  • 刊出日期:  1982-07-19

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