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InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究

张桂成 沈彭年

张桂成, 沈彭年. InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 435-440.
引用本文: 张桂成, 沈彭年. InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 435-440.
Zhang Guicheng, Shen Pangnian . OBSERVATION AND STUDY ON THE DARK DEFECTS IN InGaAsP/InP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LEDS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 435-440.
Citation: Zhang Guicheng, Shen Pangnian . OBSERVATION AND STUDY ON THE DARK DEFECTS IN InGaAsP/InP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LEDS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 435-440.

InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究

OBSERVATION AND STUDY ON THE DARK DEFECTS IN InGaAsP/InP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LEDS

  • 摘要: 用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明,掺Mg和掺In-Zn合金与重掺Zn器件相比,暗结构比例明显降低。Zn可能是暗缺陷的重要来源之一。器件在70℃,85℃条件下老化2000小时后,老化前无暗缺陷的某些器件亦有暗结构产生,但其生长率很慢。
      关键词:
    •  
  • Osamu Ueda, Fujitsu Sci. Tech. J., 18(1982), 507.[2]S.Yamakoshi et al., IEEE Trans. on QE, QE-17(1981), 167.[3]H. Temkin, J. Appl. Phys, 52(1981), 5377.[4]A. K. Chin et al., Appl. Phys. Lett., 41(1982), 555.[5]Osamu Ueda, Jpn. J. Appl. Phys.,20(1981), 1201.[6]何樑昌, 吴冠群, 通信学报, 1982年, 第4期, 第88页.[7]邬祥生, 杨易,半导体学报,3(1982), 162.[8]水海龙,张桂成,电子学通讯,4(1982), 286.[9]张桂成,水海龙,发光与显示,1982年,第2期,第65页.[10]A. K. Chin et al., Appl. Phys. Lest., 42(1983), 1031.[11]Osamu Ueda et al., ibid., 86(1980), 300.[12]Masahiro Seki et al., ibid., 40(1982), 115.[13]K. Ishida et al., ibid., 40(1982), 16.[14]山腰茂,光纤通信,1980年,第3期,第132页.[15]张桂成等,电于科学学刊,6(1984), 172.
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-05-27
  • 修回日期:  1985-09-03
  • 刊出日期:  1987-09-19

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