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用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命

张秀淼

张秀淼. 用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(3): 291-294.
引用本文: 张秀淼. 用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(3): 291-294.
Zhang Xiumiao. DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(3): 291-294.
Citation: Zhang Xiumiao. DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1992, 14(3): 291-294.

用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命

DETERMINATION OF GENERATION LIFETIME FROM C-t TRANSIENTS UNDER LINEAR VOLTAGE RAMP BIAS

  • 摘要: 本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-04-27
  • 修回日期:  1991-07-23
  • 刊出日期:  1992-05-19

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