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氮流量对非晶碳膜场致电子发射的影响

王小平 李运钧 姚宁 马会中 毕兆琪 张兵临

王小平, 李运钧, 姚宁, 马会中, 毕兆琪, 张兵临. 氮流量对非晶碳膜场致电子发射的影响[J]. 电子与信息学报, 2001, 23(6): 622-624.
引用本文: 王小平, 李运钧, 姚宁, 马会中, 毕兆琪, 张兵临. 氮流量对非晶碳膜场致电子发射的影响[J]. 电子与信息学报, 2001, 23(6): 622-624.
Wang Xiaoping, Li Yunjun, Yao Ning, Ma Huizhong, Bi Zhaoqi, Zhang Binglin. INFLUENCE OF NITROGEN FLOW RATE ON FIELD ELECTRON EMISSON ON AMORPHOUS-CARBON[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2001, 23(6): 622-624.
Citation: Wang Xiaoping, Li Yunjun, Yao Ning, Ma Huizhong, Bi Zhaoqi, Zhang Binglin. INFLUENCE OF NITROGEN FLOW RATE ON FIELD ELECTRON EMISSON ON AMORPHOUS-CARBON[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2001, 23(6): 622-624.

氮流量对非晶碳膜场致电子发射的影响

INFLUENCE OF NITROGEN FLOW RATE ON FIELD ELECTRON EMISSON ON AMORPHOUS-CARBON

  • 摘要: 用微波等离子体化学气相沉积设备,在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM),金相显微镜及Raman谱对样品进行了分析测试,并研究了不同掺杂样品的场致电子发射特性。结果表明:在我们的实验范围内,随着氮流量的增加,发射电流密度增大,阈值电压降低。
  • 李运钧,何金田,姚宁,张兵临,等,一种简单的金刚石薄膜场至发射器件,科学通报,1997,42(4),368-370.[2]W.Zhu,G.P,Kichanski,Jin S.et al,Electron field emission from ion-implanted diamond,Appl,Phys,Lett,1995,67(8),1157-1159.[3]王小平,李运钧,姚宁,张兵临,等,金刚石镶嵌非品碳膜表面形貌对场臻电子发射的影响,发光学报,1998,19(3):267-271.[4]Yoshiyuki Show,Rumihiko Matsuoka,Masaharn Hayshi,et al,Infiuence of defects on electron emission from diamond films,J.Appl,Phys,1998,84(11),6351-6354.[5]L.K,Cheah,Shi Xu,B.K,Tay,et al,Field emission from,Notrogen doped tearahedral amorphous carbon prepared by filtered cathodic vaemch are technique,Technical Digest of IVMC97 Kyongju,Korea,1997,112-116.
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-04-01
  • 修回日期:  1999-11-25
  • 刊出日期:  2001-06-19

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