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用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度

杜永昌 张玉峰 杨大同 张光华 韩汝琦

杜永昌, 张玉峰, 杨大同, 张光华, 韩汝琦. 用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(5): 417-421.
引用本文: 杜永昌, 张玉峰, 杨大同, 张光华, 韩汝琦. 用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(5): 417-421.
Du Yongchang, Zhang Yufeng, Yang Datong, Zhang Guanghua, Han Ruqi. THE DISTRIBUTION OF DENSITY OF GAP STATES FOR PHOSPHORUS-DOPED AMORPHOUS SILICON MEASURED BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(5): 417-421.
Citation: Du Yongchang, Zhang Yufeng, Yang Datong, Zhang Guanghua, Han Ruqi. THE DISTRIBUTION OF DENSITY OF GAP STATES FOR PHOSPHORUS-DOPED AMORPHOUS SILICON MEASURED BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(5): 417-421.

用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度

THE DISTRIBUTION OF DENSITY OF GAP STATES FOR PHOSPHORUS-DOPED AMORPHOUS SILICON MEASURED BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY

  • 摘要: 正 非晶硅的隙态密度在很大程度上决定了材料的电学和光学性质,因而对非晶硅隙态密度的研究具有重要的理论和实际意义。目前,对非晶硅隙态密度分布的认识,仍存在着争议。W.E.Spear.等人首先用场效应方法测定了非晶硅的隙态密度分布,并在相当一段时间为人们所接受。但由于场效应方法在实验数据处理上存在着很大误差。另外该方法的测量结果受界面态的影响很大。J.D.Cohen等人用深能级瞬态谱(DLTS)测
      关键词:
    •  
  • W. E. Spear and P. G. Le Comber, J. Non-Crystalline Solid, 8-10 (1972), 727.[2]N. B. Goodman, H. Fritzsche and H. Oyaki, J. Non-Crystalline Solid, 35-36(1980), 599.[3]J. D. Cohen, D. V. Lang, J. P. Harbison and J. C. Bean, Solar Cells, 2(1980), 331.[4]J. D. Cohen, D. V. Lang and J. P. Harbison, Phys. Rev. Lett.,45(1980), 197.[5]C. H. Hyun, M. S. Shur and A. Madan, Appl. phys. Lett., 41(1982), 178.[8]杜永昌,晏懋洵,物理,10(1981), 109.
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-05-05
  • 修回日期:  1984-04-28
  • 刊出日期:  1984-09-19

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