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分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的精细低维调制条纹的观察

范荣团 C.J.Humphreys

范荣团, C.J.Humphreys. 分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的精细低维调制条纹的观察[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(1): 93-99.
引用本文: 范荣团, C.J.Humphreys. 分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的精细低维调制条纹的观察[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(1): 93-99.
Fan Rongtuan, C. J. Humphreys. OBSERVATION OF FINE LOW DIMENSIONAL MODULATED FRINGES IN GaAs/AlxGa1-xAs MULTILAYER HETEROSTRUCTURES GROWN BY MBI[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 93-99.
Citation: Fan Rongtuan, C. J. Humphreys. OBSERVATION OF FINE LOW DIMENSIONAL MODULATED FRINGES IN GaAs/AlxGa1-xAs MULTILAYER HETEROSTRUCTURES GROWN BY MBI[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 93-99.

分子束外延生长的GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结构中的精细低维调制条纹的观察

OBSERVATION OF FINE LOW DIMENSIONAL MODULATED FRINGES IN GaAs/AlxGa1-xAs MULTILAYER HETEROSTRUCTURES GROWN BY MBI

  • 摘要: 应用透射式电子显微镜观察了GaAs-AlxGa1-xAs多层异质结结构中的精细低维调制条纹。在邻近GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的缓冲层中和与这缓冲层邻近的GaAs-AlxGa1-xAs超晶格层的小区域中发现了等宽度的精细低维调制条纹,其宽度为9.1的GaAs条纹,12的AlxGa1-xAs条纹。文中介绍了用显微密度计获得的这些条纹的密度分布结果。同时还给出了GaAs-AlxGa1-xAs 多层异质结结构的晶格像和用X射线能量散射谱技术获得的成分定量分析结果。
  • P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol, 14 (1977), 973.[2]P. M. Petroff, et al., J. Cryst. Growth, 44 (1978), 5.[3]R. D. Dupuis, et al., Appl, Phys. Lett., 34 (1979), 35.[4]Kazuo Kajiwara, et al., Jpn. J. Appl. Phy., 14(1985) 2, 85.[5]Mutsuo Ogura, Takafumi Yao, J. Vac. Sci. Technol., B. 3(1985)2, 784.[6]R. F. C. Farrow, et al., J.Vac. Sci. Technol., A3 (1985), 60.[7]Hiroshi Okamoto et al..[J].Jpn. J. Appl. Phy..1983,22:6-[8]C. J. D. Hetherington, J. C. Barry, J. M. Bi, C. J. Humphreys, J. Grange, C. Wood, Mat.Res.Soc. Symp. Proc., 37(1985), 41-46.[9]范荣团,透射式电子显微镜分析用的半导体横截面样品的制备,电子科学学刊,待发表.
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-12-29
  • 修回日期:  1989-06-09
  • 刊出日期:  1990-01-19

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