MCP中单通道电子倍增参数的Monte Carlo模拟计算
MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP
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摘要: 本文用Monte Carlo方法对电子在MCP单通道中传输,碰撞和次级发射的整个过程进行了模拟。给出了MCP中次级电子能量分布表达式。计算了MCP中单通道电子倍增的有关参数,并对比实验数据讨论了模型及其结果的合理性。Abstract: Monte Carlo method is used to simulate the whole courses of electronictransportation, collision and secondary emission in a single channel of MCP. The energy distribution formula of secondary electron of MCP is derived. Each parameter of a single channel in MCP is calculated and discussed.
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G.E. Hill, Advanced Electronics ancl Electronic Physics, 140A, (1976), pp. 153-165.[2]汪金祥,特种坡璃,3(1986)3,20-25.[3]国营旭光仪器厂,旭光情报,1984年,第1期,第100-140页.[4]汪金祥,高速摄影与光子学,1986年,第4期,第29-33页.[5]A.J. Guest, Acta Etectronica, 14(1972)1, 99-110.[6]邹异松,电真空成像器件及理论分析,国防工业出版社,北京,1990.[7]胡汉泉等,真空物理与技术及其在电子器件中的应用〔下册),第12章,国防工业出版社,北京,1985年.[8]M. Brown et al., Vacuum. 25(1975)2, 61-63.[9]刘德贵等,Fortran算法汇编,第二分册,国防工业出版社,北京,1983年. -
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