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电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究

丁扣宝 张秀淼 石国华 孙勤生 施建青

丁扣宝, 张秀淼, 石国华, 孙勤生, 施建青. 电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 334-336.
引用本文: 丁扣宝, 张秀淼, 石国华, 孙勤生, 施建青. 电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 334-336.
Ding Koubao, Zhang Xiumiao, Shi Guohua, Sun Qinsheng, Shi Jianqing. STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 334-336.
Citation: Ding Koubao, Zhang Xiumiao, Shi Guohua, Sun Qinsheng, Shi Jianqing. STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 334-336.

电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究

STUDY OF THE DEEP LEVELS IN ELECTRON IRRADIATED CZ-S1 SLIGHTLY DOPED WITH NITROGEN

  • 摘要: 本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-12-03
  • 修回日期:  1994-05-03
  • 刊出日期:  1995-05-19

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