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在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

王乃铸 王宁 顾香春

王乃铸, 王宁, 顾香春. 在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(2): 177-182.
引用本文: 王乃铸, 王宁, 顾香春. 在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(2): 177-182.
Wang Naizhu, Wang Ning, Gu Xiangchun. EXPERIMENTS OF ACTIVATION TO NEA WITH A BULK p+ GaAs[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(2): 177-182.
Citation: Wang Naizhu, Wang Ning, Gu Xiangchun. EXPERIMENTS OF ACTIVATION TO NEA WITH A BULK p+ GaAs[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(2): 177-182.

在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

EXPERIMENTS OF ACTIVATION TO NEA WITH A BULK p+ GaAs

  • 摘要: NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(210-7610-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000A/lm以上。
  • Л.Й.Ангонова,Письма в ЖТФ.,11(1985), 602-604.[2]P. W. Hawkes, Advances in Electronics and Electron Physics, Third-Generation Image Intensifier, 64A(1985), 71-75.[3]A. J. Van Bommel, J. E. Crombeen, Surf. Sci., 57(1976), 109-117.[4]B. Coldstein, Surf. Sci., 47(1975), 143-161.[5]E. J. Thrust, J. Phys. E:Sci. Inssrum., 11(1978), 327-332.[6]郭太良,王敏,黄振武,高怀容,GaAs负电子亲合势光电阴极的研究,中国电子学会第六届学术年会论文集,北京,1988年,第122-124页.[7]D. L. Schaefer, US Patent, 3672992, June 27,(1972).[8]江丕苏,侯询,张焕文,真空电子技术,1986年,第3期,第1-2页.[9]B. J. Stocker, Surf. Sci., 47(1975), 501-513.[10]王乃铸,王化文,半导体技术,1987年,第1期,第13-17页.[11]G. A. Antypas, J, Edgecumbe, Appl. Phys. Letters. 26(1975), 371-372.
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-10-10
  • 修回日期:  1990-07-11
  • 刊出日期:  1991-03-19

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