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单光子探测盖革雪崩焦平面用低抖动多相位时钟电路设计

刘煦 李云铎 叶联华 黄张成 马英杰 黄松垒 方家熊

刘煦, 李云铎, 叶联华, 黄张成, 马英杰, 黄松垒, 方家熊. 单光子探测盖革雪崩焦平面用低抖动多相位时钟电路设计[J]. 电子与信息学报, 2021, 43(6): 1565-1573. doi: 10.11999/JEIT210060
引用本文: 刘煦, 李云铎, 叶联华, 黄张成, 马英杰, 黄松垒, 方家熊. 单光子探测盖革雪崩焦平面用低抖动多相位时钟电路设计[J]. 电子与信息学报, 2021, 43(6): 1565-1573. doi: 10.11999/JEIT210060
Xu LIU, Yunduo LI, Lianhua YE, Zhangcheng HUANG, Yingjie MA, Songlei HUANG, Jiaxiong FANG. Design of Low-jitter, Multi-phase Clock Generation Circuit for Geiger-mode Avalanche Focal Plane Array Applications[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2021, 43(6): 1565-1573. doi: 10.11999/JEIT210060
Citation: Xu LIU, Yunduo LI, Lianhua YE, Zhangcheng HUANG, Yingjie MA, Songlei HUANG, Jiaxiong FANG. Design of Low-jitter, Multi-phase Clock Generation Circuit for Geiger-mode Avalanche Focal Plane Array Applications[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2021, 43(6): 1565-1573. doi: 10.11999/JEIT210060

单光子探测盖革雪崩焦平面用低抖动多相位时钟电路设计

doi: 10.11999/JEIT210060
基金项目: 国家自然科学基金(62075229, 61675225)
详细信息
    作者简介:

    刘煦:男,1994年生,博士生,研究方向为光电传感器读出电路设计

    李云铎:男,1995年生,硕士生,研究方向为光电传感器读出电路设计

    叶联华:男,1995年生,硕士生,研究方向为光电传感器读出电路设计

    黄张成:男,1985年生,副研究员,研究方向为光电传感器读出电路设计

    马英杰:男,1988年生,副研究员,研究方向为半导体光电器件

    黄松垒:男,1984年生,副研究员,研究方向为光电传感器读出电路设计

    方家熊:男,1939年生,研究员,研究方向为半导体光电器件、光电传感器读出电路设计

    通讯作者:

    黄松垒 huangsl@mail.sitp.ac.cn

  • 中图分类号: TN402; TP212

Design of Low-jitter, Multi-phase Clock Generation Circuit for Geiger-mode Avalanche Focal Plane Array Applications

Funds: The National Natural Science Foundation of China(62075229, 61675225)
  • 摘要: 针对单光子探测盖革雪崩焦平面读出电路应用,基于全局共享延迟锁相环和2维H型时钟树网络,该文设计一款低抖动多相位时钟电路。延迟锁相环采用8相位压控延迟链、双边沿触发型鉴相器和启动-复位模块,引入差分电荷泵结构,减小充放电流失配,降低时钟抖动。采用H时钟树结构,减小大规模电路芯片传输路径不对称引起的相位差异,确保多路分相时钟等延迟到达像素单元。采用0.18 µm CMOS工艺流片,测试结果表明,延迟锁相环锁定频率范围150~400 MHz。锁定范围内,相位噪声低于–127 dBc/Hz@1 MHz,时钟RMS抖动低于2.5 ps,静态相位误差低于65 ps。
  • 单光子探测技术可应用于3维测距[1]、3维成像[2]、荧光寿命成像[3],是一种具有广泛应用前景的3维探测技术。盖革雪崩光电二极管具有单光子探测灵敏度[4,5],基于该类型二极管阵列的无扫描激光雷达具有探测灵敏度高、光机结构紧凑、探测效率高等优势,正逐渐成为一种重要的激光雷达技术方案[6,7]

    探测系统通过计量光子飞行时间(Time of Flight, ToF)计算距离,激光器向被测场景发出激光并启动计时器计时,激光到达被测物体后返回,探测器接收到回波信号停止计时,通过光子飞行时间可计算探测距离。ToF由盖革雪崩焦平面内的读出电路(ReadOut Integrated Circuit, ROIC)芯片记录、存储和输出[8],其中时间-数字转换电路是ROIC内的关键模块,决定盖革雪崩焦平面的时间分辨率[9,10]。随着读出电路阵列规模增大,时钟信号经过复杂路径传递到每个像素单元存在延迟不匹配、时钟偏斜等问题[11],导致各像素计时不均匀、计时精度恶化等问题。为解决时钟偏斜问题,大多数高速系统采用锁相环(Phase Locked Loop, PLL)或者延迟锁相环(Delay Locked Loop, DLL)获得稳定的高速时钟信号[12,13]。与PLL相比,DLL不会累计相位误差且为单极点稳定系统,具有更好的抗抖动性能和稳定性[14],因此低抖动、快速锁定的DLL更适用于盖革雪崩单光子探测系统的计时需求[15]。此外,考虑到高速时钟信号对路径延迟有更严格要求,为提升全局像素计时的一致性,需设计满足阵列应用的时钟树结构使得时钟信号能够等延迟到达每个像素单元。

    本文提出一种可用于64×64规模盖革雪崩焦平面的时钟电路,采用DLL和时钟树方案,经压控延迟链(Voltage Control Delay Line, VCDL)生成的多路分相时钟,通过时钟树可等延迟到达每个像素供后续时间数字转换器使用,提升各像素计时均匀性,实现中等规模面阵亚纳秒计时,完成验证和设计。

    应用于盖革雪崩焦平面的时钟电路结构如图1所示,由延迟锁相环和时钟网络组成,CLKR为输入参考时钟,CLKD为压控延迟链的输出时钟,CLKR_SYN和CLKD_SYN是经过启动-复位电路后输出的有效时钟,UP和DN控制电荷泵充放电。CLKR经VCDL生成多路分相时钟供各像素使用,分相时钟通过时钟树网络等延迟进入每个像素单元,提升阵列内各像素计时均匀性。

    图 1  时钟电路结构

    DLL为单极点稳定系统,具有低抖动、低相位噪声等优点,其结构如图2所示,通过s域模型,可对DLL进行频域分析,其传递函数可表示为

    图 2  延迟锁相环小信号噪声模型
    HO(s)=KPC+CPKVCDLZ(s)
    (1)
    HC(s)=HO(s)1+HO(s)
    (2)
    ωN=ICPKVCDL2πC
    (3)

    单极点系统为无条件稳定系统,其环路带宽如式(3)所示,提升主极点频率,能够加快环路的锁定过程,但是环路的抗抖动性能会下降,合理选取主极点频率,通常应满足ωN(1/10)ωCLK条件[15]。对于DLL系统,频域噪声在时域上反映为其抖动特性,分别计算各个模块引入噪声的传递函数并相加即为总噪声。

    DLL各模块的噪声特性如表1所示,输入信号噪声呈现全通特性,DLL无法抑制输入信号引入的噪声,为降低输入信号噪声对信号的影响,应使用频谱纯度高、抖动低的时钟源。鉴相器和电荷泵的噪声呈现低通特性,由这两个模块引入的高频噪声能较好地被抑制,如果要降低鉴相器和电荷泵噪声对输出信号的影响,可以降低DLL的环路带宽,但是过度降低环路带宽会导致锁定时间增加。压控延迟链与环路滤波器的噪声为高通特性,适当增加环路带宽可抑制高频噪声对输出信号的影响。DLL各模块需根据应用环境,综合考虑各种矛盾因素折中设计,由于输入噪声为全通特性,其对DLL系统输出噪声的影响较为显著。

    表 1  DLL各模块噪声特性
    噪声模块传递函数噪声特性
    输入参考时钟φ2n,out=φ2n,in全通
    鉴相器+电荷泵φ2n,out=|HO(s)1+HO(s)|2φ2n,PD+CP低通,带内平坦,带外衰减
    环路滤波器φ2n,out=|KVCDL1+HO(s)|2φ2n,LPF高通,带内衰减,带外平坦
    压控延迟链φ2n,out=|11+HO(s)|2φ2n,VCDL高通,带内衰减,带外平坦
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    在面阵应用中,各像素均匀计时十分重要,只有当时钟信号等延迟到达每个像素单元才能提升各像素计时均匀性,全局时钟网络是盖革APD读出电路的重要模块,该模块使时钟信号等延迟到达每个像素单元。时钟网络的信号偏移,决定全局电路的数据输出速率和最高工作频率,需有较低的时钟偏移;时钟网络的信号高速、频繁切换,在全局电路中占据较大的功耗比重;在高速应用环境下,时钟网络内部分缓冲器、反相器尺寸较大,电源网络中会出现较大瞬态功耗,衬底耦合较大的电流噪声,高效合理的布局对于提高时钟质量十分重要。时钟网络由大量的缓冲器、反相器构成,其功耗主要由静态功耗、动态短路功耗、各节点翻转功耗3部分组成,可表示为

    Pt=Ps+Pd+Ps
    (4)
    Pt=P0NMi+K12τfref(VDD2VTH)3+αfrefC0VDD2Lt
    (5)

    P0表示单位缓冲器的静态功耗,N表示时钟网络中插入的缓冲器数量,Mi表示第i级缓冲器尺寸相对于单位缓冲器的倍数,fref表示时钟网络的工作频率,τ为信号上升/下降时间,α为节点转换因子,C0为单位长度互连线电容,Lt为互联线总长度。

    根据式(5)可知,缓冲器的尺寸和布局规划对于时钟网络的功耗起着重要作用,在满足应用需求的条件下,需限制缓冲器的尺寸。功耗与时钟频率之间为线性关系,高频时钟只有在对光子计时才需要传递到面阵内,在数据输出时,可通过门控结构关闭高频时钟,使高频时钟不会传递到阵列内部;对于较长的信号走线,为满足应用需求的上升/下降时间,需插入多级缓冲器,两级反相器的传输效果等效于缓冲器的传输效果,但是功耗更低,在匹配的情况下,部分信号传输路径缓冲器、反相器配合使用,降级功耗。调整信号走线的尺寸,降低节点的寄生电容和信号上升、下降时间,进而降低时钟网络的功耗。

    复位后,如果参考时钟与延迟链输出的时间差小于0.5倍时钟周期或者大于1.5倍时钟周期,会导致DLL失锁或者进入谐波锁定状态。如图3所示,基于边沿检测技术,设计一款可应用于8级延迟链的防失锁电路,DLLCLK0作为D触发器的输入,抽取延迟链的第2, 4, 6级时钟作为D触发器的时钟。Q2, Q4, Q6配合组合逻辑电路,判断是否满足锁定条件,Work信号输出为1表明满足锁定条件,如果不满足锁定条件,Charge和Down信号将控制电荷泵充放电直到参考时钟和延迟链输出时间差满足锁定条件。复位电路采用异步复位同步释放电路配合DLL锁定,避免复位过程中出现不稳定态或者亚稳定态,导致电路功能异常。

    图 3  具有防失锁功能的启动-复位电路

    图4所示,双边沿触发型鉴相器由一个上升沿触发型和一个下降沿触发型鉴相器组合而成,上升沿触发型鉴相器由改进TSPC型触发器和与非门构成,复位信号RST置低,鉴相器复位,复位信号RST置高,鉴相器正常工作。与非门能增加UP和DN信号反馈到输入端的延迟,减小鉴相器的死区时间。下降沿触发型鉴相器同样由TSPC型触发器和逻辑门电构成,复位信号RST置低,鉴相器复位。RST置高触发器解复位,鉴相器正常工作。两鉴相器的输出信号通过后续的组合逻辑生成电荷泵的UP和DN信号,加速环路锁定。

    图 4  双边沿触发型鉴相器

    双边沿触发型鉴相器配合启动-复位电路工作时序如图5所示,复位后,VCDL的控制电压放电至零电平,CLKR与CLKD的相位差必然低于Tref、CLKD_SYN的上升沿先出现,环路滤波器的输出电压VCTRL逐渐上升,延迟时间逐渐增加,直至相位差满足锁定条件。

    图 5  带复位-启动功能鉴相器时序图

    图6所示,电荷泵采用差动工作模式[16],在输出电压变化相等的条件下,提高电荷泵的输出阻抗有利于抑制失配电流,因而采用共源共栅型电荷泵结构。为防止因Vm下降至0导致左右支路电流不匹配,加入跟随器使VctrlVm点钳制在相同电位,减小电荷泵失配。Vm电位跟随Vctrl,当电荷泵充放电状态切换时,电路能够快速建立稳定的充放电电流路径,提高电荷泵响应速度。

    图 6  差动型电荷泵

    压控延迟链为8级延迟链,DLL锁定后,输入信号与输出信号的上升沿对齐,多级延迟链可以均分参考时钟周期,延迟链的级数为n,可对参考时钟周期Tref长度n等分[14],在某一时刻对延迟链的分相时钟采样,对采样数据解码后,理论上可通过DLL实现TLSB=Tref/n计时精度。

    单级延迟单元的上升时间与下降时间在设计上难以实现完全匹配,每级延迟结构由两级延迟单元构成,则每级延迟结构的延迟时间为上升时间与下降时间之和。差分延迟链的每级延迟由两级延迟单元级联而成,差分延迟信号的延迟时间能够更加匹配。

    td=td,re+td,dn
    (6)

    差分延迟单元电路如图7所示,与单端结构相比,差分结构能够更好地抑制共模干扰,降低共模噪声对电路性能影响。NMOS管M1和M2为信号输入管,控制电压Vctrl改变,进而改变二极管结构的M3、M5负载管的充放电电流,改变每级单元的延迟时间,延迟时间随Vctrl增加而增加,M5、M6为正反馈电路,加快充放电时间。

    图 7  多级差分压控延迟链
    τ=RC=CL(gds1+gds3+gds5+gm3gm5)
    (7)

    为覆盖不同的延迟时间,设计两条延迟链结构,分别为慢延迟链和快延迟链,以适应不同的延迟需求,延迟链延迟时间与控制电压的关系如图8所示,两条延迟链的延迟时间范围存在一定的交叠以满足较好线性度的需求。

    图 8  延迟时间-控制电压关系曲线
    τn=RnCn
    (8)
    Cn=C0Ln
    (9)

    根据式(8)和式(9)可知,只有在各节点的延迟时间和寄生电容一致的情况下,时钟才能等延迟到达每个像素单元,因此时钟网络内信号到达每个节点的路径需保持高度一致。

    以H型时钟树为基本结构构建时钟网络,4×4规模的H型时钟树结构如图9所示,输入节点为根节点,末端为叶节点,每个叶节点驱动4个像素单元,由H型时钟树的结构可知,信号进入根节点后,保持高度一致性路径到达每个叶节点。

    图 9  4×4规模H型时钟树结构

    时钟网络中缓冲器的层次如图10所示,信号从根节点到叶节点,经历多级缓冲器,每一级缓冲器的驱动负载不相同,由外到内,缓冲器的驱动负载逐级降低。根据不同节点处负载电容的大小,在满足信号传输需求的情况下,选择不同驱动能力的缓冲器。

    图 10  64×64时钟网络布局

    在计时过程中,时钟信号频繁翻转,网络内部多级缓冲器会产生较大瞬态电流,电流噪声耦合到衬底,为避免耦合电流对像素内部电路造成较大干扰,每个像素单元外围各留出10 µm通道,时钟网络只在通道内部布局,降低时钟网络对其他电路模块的干扰。面阵内各像元计时均匀,4路DLL分相时钟信号和1路全局开始信号需通过时钟网络引入各个像元,5路信号等间隔排布且每路信号之间的间隔为4 μm,避免因为距离太近,不同信号之间引入较大串扰。

    电路采用0.18 μm标准CMOS工艺设计并流片,如图11所示。在完成电路设计并通过前仿真验证电路性能后,进行版图设计并提取寄生参数后进行后仿验证,电路采用插针网格阵列(Pin Grid Array, PGA)管壳键压,测试板采用4层板结构。根据DLL的噪声特性,输入参考时钟噪声在整个带宽内为带通特性,选用均方根(Root Mean Square, RMS)抖动为1.5 ps的低抖动时钟源作为参考时钟信号。

    图 11  芯片键压管壳测试电路板

    选取典型应用条件250 MHz,在不同工艺角下进行后仿真,有4路分相时钟信号和计时起始信号通过H型全局时钟树进入像素阵列,如图12所示,分别在这5个像素处各选取1路信号作为叶节点并记录后仿真延迟时间。

    图 12  叶节点选取位置示意图

    分相时钟各路延时和功耗后仿真结果如表2表3所示,受工艺影响,流片后电路实际性能可能并不是落在tt corner内,与典型工艺角存在一定的偏差。ss工艺角NMOS和PMOS都工作在slow状态,全局时钟从根节点进入每个像素单元延迟较大;ff工艺角NMOS和PMOS工作在fast状态,MOS管阈值电压较低,沟道电流,全局时钟从根节点进入每个像素单元的延迟较小。受工艺影响,同一批次电路性能可能偏离tt corner,但是在同一工艺角内,不同叶节点的延迟时间基本一致,相对偏差很小。时钟网络延迟和功耗能够满足应用需求。

    表 2  64×64规模时钟网络后仿真延迟时间(ns)
    叶节点编号tt cornerss cornerff cornersnfp cornerfnsp corner
    叶节点11.2661.5241.0171.2341.239
    叶节点21.2681.5271.0191.2321.237
    叶节点31.2641.5261.0161.2361.241
    叶节点41.2631.5231.0171.2351.240
    叶节点51.2651.5261.0151.2321.238
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    表 3  64×64规模时钟网络功耗
    工艺角功耗(mW)
    tt147.6
    ss143.4
    ff153.0
    snfp147.6
    fnsp147.6
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    表2所示,在不同的工艺角下,从根节点到达叶节点多路时钟信号的相对延迟时间基本保持一致,分相时钟能够等延迟到达每个像素单元,提升像素计时的均匀性,时钟树总功耗在不同工艺角下未出现较大波动。

    对DLL的锁定范围进行测试,DLL能够在150~400 MHz频率范围内锁定,锁定范围内功耗与参考时钟频率基本呈现线性增加关系,锁定范围与前仿真结果相比有一定的下降,压控延迟链的各节点会引入寄生电容,导致DLL锁定频率下降,如图13所示。

    图 13  DLL锁定范围内不同频率点测试功耗

    在锁定范围内,各频率点测试得到相位噪声和RMS抖动结果如图14(a)所示,测试结果表明,在锁定范围内,相位噪声小于 –127 dBc/Hz@1 MHz,RMS抖动小于2.5 ps,能够满足后续计时应用需求。

    图 14  相位噪声/抖动、静态相位误差测试结果

    锁定后,静态相位误差测试结果如图14(b)所示,静态相位误差47~65 ps,锁定范围内静态相位误差变化不大,静态相位误差大小主要与鉴相器的延迟匹配程度和电荷泵失配相关,在锁定范围内不会出现大幅度波动,锁定范围内静态相位误差占对应时钟周期的比例较低。

    表 4  测试与后仿真总结
    性能参数测试/后仿真结果
    工艺(μm)0.18
    电源电压(V)1.8
    DLL锁定范围(MHz)150~400
    DLL功耗(mW)8.2~30.9
    锁定范围内RMS Jitter(ps)1.8~2.4
    锁定范围内相位噪声(dBc/Hz)@1 MHz–127.8~–132.1
    锁定范围内静态相位误差(ps)47~65
    时钟树各节点后仿真延迟(ps)1247~1253
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    本文设计一款低抖动多相位时钟电路,通过DLL压控延迟链实现多级分相时钟,多路信号通过H型时钟树等延迟到达每个像素单元。DLL锁定后,多相位时钟可实现Tref/8计时精度,H型时钟树能够应用于100 μm中心距的阵列单元。采用0.18 μm CMOS数模混合工艺流片,实测DLL锁定频率范围150~400 MHz。锁定范围内时钟RMS 抖动低于2.5 ps,静态相位误差47~65 ps,时钟信号通过H型时钟树等延迟到达每个像素单元,有效提升各像素计时一致性,测试结果达到预期,可以进一步推广用于中等规模盖革雪崩焦平面的读出电路。

  • 图  1  时钟电路结构

    图  2  延迟锁相环小信号噪声模型

    图  3  具有防失锁功能的启动-复位电路

    图  4  双边沿触发型鉴相器

    图  5  带复位-启动功能鉴相器时序图

    图  6  差动型电荷泵

    图  7  多级差分压控延迟链

    图  8  延迟时间-控制电压关系曲线

    图  9  4×4规模H型时钟树结构

    图  10  64×64时钟网络布局

    图  11  芯片键压管壳测试电路板

    图  12  叶节点选取位置示意图

    图  13  DLL锁定范围内不同频率点测试功耗

    图  14  相位噪声/抖动、静态相位误差测试结果

    表  1  DLL各模块噪声特性

    噪声模块传递函数噪声特性
    输入参考时钟φ2n,out=φ2n,in全通
    鉴相器+电荷泵φ2n,out=|HO(s)1+HO(s)|2φ2n,PD+CP低通,带内平坦,带外衰减
    环路滤波器φ2n,out=|KVCDL1+HO(s)|2φ2n,LPF高通,带内衰减,带外平坦
    压控延迟链φ2n,out=|11+HO(s)|2φ2n,VCDL高通,带内衰减,带外平坦
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    表  2  64×64规模时钟网络后仿真延迟时间(ns)

    叶节点编号tt cornerss cornerff cornersnfp cornerfnsp corner
    叶节点11.2661.5241.0171.2341.239
    叶节点21.2681.5271.0191.2321.237
    叶节点31.2641.5261.0161.2361.241
    叶节点41.2631.5231.0171.2351.240
    叶节点51.2651.5261.0151.2321.238
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    表  3  64×64规模时钟网络功耗

    工艺角功耗(mW)
    tt147.6
    ss143.4
    ff153.0
    snfp147.6
    fnsp147.6
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    表  4  测试与后仿真总结

    性能参数测试/后仿真结果
    工艺(μm)0.18
    电源电压(V)1.8
    DLL锁定范围(MHz)150~400
    DLL功耗(mW)8.2~30.9
    锁定范围内RMS Jitter(ps)1.8~2.4
    锁定范围内相位噪声(dBc/Hz)@1 MHz–127.8~–132.1
    锁定范围内静态相位误差(ps)47~65
    时钟树各节点后仿真延迟(ps)1247~1253
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出版历程
  • 收稿日期:  2021-01-18
  • 修回日期:  2021-04-19
  • 网络出版日期:  2021-04-30
  • 刊出日期:  2021-06-18

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