高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究

阴生毅 任峰 卢志鹏 张永清 张申金 杨峰 卫东 邯娇 李阳

周治国, 荆朝, 王秋伶, 屈崇. 基于时空信息融合的无人艇水面目标检测跟踪[J]. 电子与信息学报, 2021, 43(6): 1698-1705. doi: 10.11999/JEIT200223
引用本文: 阴生毅, 任峰, 卢志鹏, 张永清, 张申金, 杨峰, 卫东, 邯娇, 李阳. 覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究[J]. 电子与信息学报, 2018, 40(10): 2535-2540. doi: 10.11999/JEIT171000
Zhiguo ZHOU, Zhao JING, Qiuling WANG, Chong QU. Object Detection and Tracking of Unmanned Surface Vehicles Based on Spatial-temporal Information Fusion[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2021, 43(6): 1698-1705. doi: 10.11999/JEIT200223
Citation: Shengyi YIN, Feng REN, Zhipeng LU, Yongqing ZHANG, Shenjin ZHANG, Feng YANG, Dong WEI, Jiao HAN, Yang LI. Study on Electron Emission Phenomenon of the Surface Micro Area of Coated Impregnated Dispenser Cathode[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2018, 40(10): 2535-2540. doi: 10.11999/JEIT171000

覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究

doi: 10.11999/JEIT171000
基金项目: 国家重大科学仪器设备开发专项(2012YQ120048)
详细信息
    作者简介:

    阴生毅:男,1964年生,研究员,研究方向为大电流密度阴极及其发射机理

    任峰:男,1992年生,硕士生,研究方向为热扩散阴极微区热电子发射特征及阴极发射材料

    卢志鹏:男,1993年生,博士生,研究方向为高性能热场发射阴极及其发射机理

    张永清:女,1965年生,研究员,研究方向为微波衰减材料、大功率速调管制管工艺及技术

    张申金:男,1978年生,副研究员,研究方向为全固态激光技术及非线性频率变换技术

    杨峰:男,1983年生,副研究员,研究方向为全固态激光及其频率变换技术

    卫东:男,1988年生,工程师,研究方向为电子光学

    邯娇:女,1986年生,中级工程师,研究方向为可靠性热子材料与工艺

    李阳:男,1990年生,初级工程师,研究方向为阴极制备工艺

    通讯作者:

    阴生毅  ysy210@163.com

  • 中图分类号: O462

Study on Electron Emission Phenomenon of the Surface Micro Area of Coated Impregnated Dispenser Cathode

Funds: The National Instrumentation Program of China (2012YQ120048)
  • 摘要: 覆膜对浸渍扩散热阴极表面电子发射的影响一直是热阴极研究领域的重点课题。该文采用最新研制的深紫外激光光发射电子显微镜/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM),对一半覆膜、另一半未覆膜的浸渍扩散阴极试样作了1150 ℃×2 h激活,并对其表面微区的热电子发射像及其随温度的变化作了比较。结果发现,两种阴极的热电子发射均主要位于孔隙及其邻近颗粒边缘;随温度升高,未覆膜阴极发射主要集中于孔隙内及周边有限区域内,发射面积增量较小,覆膜则使阴极有效发射区域得以由孔隙及其边缘向距孔隙更远的区域延伸,发射面积大幅增加。上述结果首次给出了覆膜浸渍扩散阴极微区的电子发射特征,对于理解该类型阴极发射机理有一定参考价值。
  • 波达方向(Direction Of Arrival, DOA)估计作为阵列信号处理的一大热点问题,在雷达、通信和声呐等研究领域都有着广泛应用[1-3],而阵列自由度(Degree Of Freedom, DOF)限制了一个阵列DOA估计时所能分辨的最大信号个数。对于一个长度为N的均匀线列阵(Uniform Linear Array, ULA)其自由度往往受限于阵元个数,因此能否获得比阵元个数更多的自由度成为学者的研究焦点。人们发现,从共阵的角度对稀疏阵进行处理,可以获得远大于阵元个数的自由度[4-6],并在共阵的基础上给出了合理的处理方法[7],后文称为共阵MUSIC算法,使用该算法时,共阵中最长的ULA段直接决定了稀疏阵的最大自由度。最小冗余阵(Minimum Redundancy Array, MRA)作为稀疏阵的一大代表,在要求共阵全为ULA的条件下对阵列结构进行优化[5],具有最大的无孔洞共阵。最小孔洞阵(Minimum Hole Array, MHA)则把最小化孔洞数目当作优化目标,同时要求共阵的权重系数为1[8]。MRA和MHA都能在N个阵元下获得O(N2)的自由度,使得自由度较相同阵元数下的ULA有大幅度提高。然而,它们都没有阵元位置的闭式解,且大阵元下的阵元位置求解复杂度高。因此嵌套阵(Nested Array, NA)应运而生,它由两个子阵形成嵌套结构[9],同样能在N个阵元下获得O(N2)的自由度,并且阵元位置清晰明了,易于计算。但嵌套阵有一个半波长间距的子阵,该子阵较密的阵元排布导致嵌套阵的互耦效应较其他稀疏阵更强,会影响DOA的估计效果[10-12]

    互质阵(Coprime Array, CA)既有闭式解,其互耦效应也优于嵌套阵,它由两个阵元数分别为MN的子阵构成,MN互质,子阵阵元间距分别为NdMd,可以获得的自由度为O(MN)[13],其中d为半波长间距。借助互质阵进行DOA估计的算法有很多,如共阵MUSIC类算法[7,14]和压缩感知类算法[15,16],但估计类算法都无法弥补互质阵的共阵中存在孔洞的问题,相较NA,共阵中的连续线阵不够长,使得它的自由度逊色于嵌套阵,因此学者在提高互质阵共阵中的ULA段长度方面进行了大量研究。最为简单的方法是将一个子阵的阵元个数改为2M,其余条件不变,使得共阵在MNMN内均是连续的[7],为了方便区分,将这种阵型称为扩展互质阵,同时将原始的互质阵称为原型互质阵。在此之上,又出现了广义互质阵,广义互质阵包括两种阵型结构,一种是CACIS(Coprime Array with Compressed Inter-element Spacing),一种是CADiS(Coprime Array with Displaced Subarrays)[17], CACIS压缩了某一子阵的阵元间距,且压缩因子越大,共阵ULA越长,前述的扩展互质阵仅是CACIS的一个特例,CADiS则是将互质阵的某一子阵移至距另一子阵一定距离的位置。放置多级级联子阵的稀疏阵也尝试构建新的阵列结构,它将多个相同的稀疏阵级联在一起,并给出了各子阵间的放置距离,稀疏子阵的自由度越高,获得的级联阵自由度就越高[18]。精简互质阵(Thinned Coprime Array, TCA)讨论了扩展互质阵的共阵冗余,提出即使删掉M/2个阵元,扩展互质阵的性质依旧不会改变[19],也就意味着同等阵元总数下,TCA的自由度会高于扩展互质阵。还有一种借助矩阵填充理论,通过重构Toeplitz协方差矩阵来使共阵ULA变长的方法[20]

    前面所提的方法都是基于差分共阵来提高互质阵的自由度,那么和共阵对于原型互质阵自由度的提高是否有帮助?针对这一问题已有文献进行了解答,文中借助矢量化由时域与空域信息共同构成的共轭增广协方差矩阵(Vectorize Conjugate Augmented MUSIC, VCAM),在虚拟域构建了差分阵与和共阵共存的差和共阵[21],和共阵不但能填补差分阵的部分孔洞,还能提供一段额外的ULA,致使原型互质阵在差和共阵下拥有远超于仅使用差分阵的自由度。但是仔细观察原型互质阵和共阵与差共阵的阵元位置,可以发现两者的阵元除了互补关系外,还存在重叠关系,即有不少的和共阵阵元与差共阵阵元重叠,从而导致阵元冗余,无形中丢失了一部分的自由度。

    为了最大限度上利用和共阵所提供的阵元,希望和共阵能够在填补差共阵孔洞的同时产生与差共阵之间尽量少甚至没有的阵元重叠。借此,本文提出了一种新的阵型,在广义互质阵CACIS的基础上添加一个位于原点处的单阵元,并将CACIS整体放置在与该单阵元相隔一定距离的位置,文中将这种阵型命名为放置互质阵(Displaced Coprime Array, DCA)。通过一定的放置距离,让阵型的和共阵与差共阵相互错开,使它们正好互补,又没有多余的阵元重叠,最大限度上利用了和共阵带来的自由度。之所以选用CACIS结构,是因为它相较普通互质阵连续阵元更加集中,在两者错开一定距离后,更便于和共阵与差共阵之间的性质互补。文中给出了DCA的放置距离以及阵元位置的闭式表达,并对和共阵与差共阵的连续阵元和孔洞位置以及两者之间的关系进行了理论推导。此外,还给出了DCA所能提供的最大自由度的理论表达式,并借助仿真实验验证了放置互质阵的有效性。

    放置互质阵的阵型结构如图1所示,DCA在CACIS的基础上添加一个阵元,两子阵除了共用CACIS结构的第1个阵元外,还共用位于坐标原点的首阵元。子阵阵元数分别为N+1M+1,总阵元数为M+N。可以把放置互质阵看作两部分,第I部分是单独位于坐标原点的首阵元,第II部分是广义互质阵CACIS[17], CACIS压缩了某一子阵的阵元间距,压缩因子为p(2pM),使得˜M=M/p,两子阵的阵元间距变为˜MdNdd为半波长间距,则放置互质阵是把CACIS放置在了与首阵元相隔Ld的位置,L=(MN˜M(N1))/2

    图 1  放置互质阵

    以半波长为基本单位描述阵元位置,子阵1和子阵2的阵元位置S1S2分别表示为

    S1={0}{L+˜Mn|n=0,1,···,N1}
    (1)
    S2={0}{L+Nm|m=0,1,···,M1}
    (2)

    则放置互质阵的阵元位置为

    S=S1S2={0}{L+˜Mn|n=0,1,···,N1}{L+Nm|m=0,1,···,M1}
    (3)

    设有K个不相关远场信号入射,第k(1kK)个信号的解析表达式为sk(t)=ukejwkt,其中uk是信号幅度,wk是信号角频率,该信号从θk方向入射,能量为σ2k。定义g=(g1,g2,···,gi,···,gP)Tgi为阵元位置,()T为转置,giS,不妨设0=g1<g2<···<gi<···<gP, P为阵元总个数。伴随信号一起被阵列接收的还有噪声向量n(t)=(n1(t),n2(t),···,ni(t),···,nP(t))T, ni(t)为第i个阵元接收到的噪声,噪声是与信号无关的加性复高斯白噪声,其期望为0,方差为σ2n。则接收信号模型为[3]

    x(t)=Kk=1a(θk)sk(t)+n(t)=As(t)+n(t)
    (4)

    其中,A=(a(θ1),a(θ2),···,a(θK))为阵列流形矩阵,其列向量为阵列流形向量写作a(θk)=(1,ejπg2sinθk,···,ejπgPsinθk)T,定义s(t)=(s1(t),s2(t),···,sK(t))T为信号向量。

    不同于数据协方差矩阵只关心空域信息的相关性,共轭增广估计器[22]将时域信息与空域信息联合起来讨论,求第1个阵元在t时刻的接收信号x1(t)与第i个阵元在t+τ时刻的接收信号xi(t+τ)Ns个时域快拍下得到的相关函数Rx1xi

    Rx1xi(τ)=1NsNst=1x1(t)xi(t+τ)=Kk=1Kl=1(a1(θk)am(θl)ukulejwlτ1NsNst=1ej(wlwk)t)+Rn1ni(τ)
    (5)

    其中,()为共轭,Rn1ni(τ)=σ2nδ(τ)δ(i1),在τ0的条件下,一定有Rn1ni(τ)=0。当样本数Ns足够大,且wlwk时,1NsNst=1ej(wlwk)t0,则有

    Rx1xi(τ)=Kk=1ejπgisinθkRsksk(τ)
    (6)

    其中,Rsksk(τ)=1NsNSt=1sk(t)sk(t+τ)=|uk|2ejwkτ。将第1个阵元在t时刻的接收信号x1(t)与其他各阵元在t+τ时刻的接收信号得到的自相关函数组成向量有hx(τ)=(Rx1x1(τ),Rx1x2(τ),···,Rx1xP(τ))T,同时记hs(τ)=(Rs1s1(τ),Rs2s2(τ),···,RsKsK(τ))T,根据式(6)有

    hx(τ)=Ahs(τ)
    (7)

    τ代替τ,再同时对式(7)取共轭得到hx(τ)=Ahs(τ),为了避免重复计算量,去掉A的第1行,记为(A),其列向量为(a(θk))=(ejπg2sinθk,···,ejπgPsinθk)T,修改A后,式(7)可重写为

    (hx(τ))=(A)hs(τ)
    (8)

    组合式(7)、式(8),得到共轭增广相关向量

    h(τ)=[(hx(τ))hx(τ)]=[(A)A]hs(τ)
    (9)

    选择满足奈奎斯特采样率的伪采样周期Tp,对应伪采样快拍为Np,则采样h(τ)所得伪数据矩阵为

    H=(h(Tp),h(2Tp),···,h(NpTp))=QUE
    (10)

    Q=[(A)A],其列向量为q(θk)=[(a(θk))a(θk)], U=diag(|u1|2,|u2|2,···,|uK|2)为入射信号幅度的模平方形成的对角矩阵,EK×Np维矩阵,其第a行第b列的元素为(E)ab=ejwabTp。求数据H的协方差矩阵RH

    RH=1NpHHH=QU(1NpEEH)UHQH
    (11)

    Rhs=U(1NpEEH)UH,其中(1NpEEH)kl=Npn=1ej(wkwl)nTpNp, k=l时,(1NpEEH)kl=1,若Np足够大,有Npn=1ej(wkwl)nTpNp0,则Rhs=UUH=diag(|u1|4,|u2|4,···,|uK|4),对矩阵RH做拉直处理有

    z=vec(RH)=Bp
    (12)

    其中,vec()为拉直算子,式(12)给出了DCA虚拟域的接收信号模型,其中p=(|u1|4,|u2|4,···,|uK|4)T代表虚拟域入射信号,拉直得到的z为虚拟域的接收信号,B=QQ代表虚拟域的阵列流形矩阵,符号为KR积,矩阵B的列向量为

    b(θk)=q(θk)q(θk)=[a(θk)a(θk)][(a(θk))a(θk)]=[a(θk)(a(θk))a(θk)a(θk)a(θk)(a(θk))a(θk)a(θk)]
    (13)

    虚拟阵列在B中体现为差和共阵,其拥有比差分共阵更多的连续虚拟阵元[21],由于p为单快拍信号,在后续的处理中,采用共阵MUSIC算法进行DOA估计,即先用空间平滑增秩,再使用MUSIC算法[7]。阵列的最大自由度取决于共阵中的最长连续整数段,假设最长连续整数段位于[lc,lc],从z中提取对应该整数段的数据进行处理,空间平滑的次数为lc+1,空间平滑后得到的满秩矩阵为Rz=1lc+1j=lc+1j=1Rzj, Rzj[lc+j1,j1]段对应虚拟数据zj所得协方差矩阵,在Rz上使用MUSIC[23]算法就能得到最终的DOA估计结果,此时阵列的自由度为lc

    差和共阵包含差共阵与和共阵,它们的阵元位置分别由差集与和集给出,这两个集合都是由阵列各阵元相互加减得来的,根据相加减的阵元所属子阵不同,将差集与和集进一步分为互差集、自差集、互和集与自和集,具体定义如下所述,mn取值范围均为0mM1,0nN1

    将两子阵阵元相互间的差称为互差集¯Lcd

    ¯Lcd={ˉlcd|ˉlcd=uv,uS2,vS1}={Nm˜Mn}{L+Nm}{(L+˜Mn)}
    (14)

    其镜像为¯Lcd={ˉlcd|ˉlcd¯Lcd},子阵内部阵元之间的差称为自差集¯Lsd,写作

    ¯Lsd={ˉlsd|ˉlsd=uv,u>v,u,vS1}{ˉlsd|ˉlsd=uv,u>v,u,vS2}={Nm}{˜Mn}{L+Nm}{L+˜Mn}
    (15)

    同理镜像为¯Lsd={ˉlsd|ˉlsd¯Lsd},相应的差集可写为¯Ld=¯Lcd¯Lcd¯Lsd¯Lsd

    和集同样包括互和集¯Lcs与自和集¯Lss,分别写作

    ¯Lcs={ˉlcs|ˉlcs=u+v,u,vS}={2L+Nm+˜Mn}{L+Nm}{L+˜Mn}
    (16)
    ¯Lss={ˉlss|ˉlss=u+v,u,vS1}{ˉlss|ˉlss=u+v,u,vS2}={2L+Nm|0m2(M1)}{2L+˜Mn|0n2(N1)}{L+Nm}{L+˜Mn}
    (17)

    同样存在镜像¯Lcs¯Lss,相应得到和集为¯Ls=¯Lcs¯Lcs¯Lss¯Lss

    观察由式(14)—式(17)给出的4个集合的表达式,自差集、互和集与自和集都包含了集合{L+Nm}{L+˜Mn},互差集包含了集合{L+Nm}{(L+˜Mn)}。结合L的表达式,L取值不会恒为整,当其取值为小数时,会使得前述集合的元素变成小数,然而共阵MUSIC算法所能提供的最大自由度取决于差和共阵连续整数段的最长长度,也就意味着前述集合所对应虚拟阵元对阵列的自由度没有贡献。因此,在后续的讨论中忽略这几个集合,并重新定义放置互质阵的差集Ld与和集Ls

    互差集Lcd={Nm˜Mn|0mM1,0nN1}

    自差集Lsd={Nm|0mM1}{˜Mn|0nN1}

    互和集Lcs={2L+Nm+˜Mn|0mM1,0nN1}

    自和集Lss={2L+Nm|0m2(M1)}{2L+˜Mn|0n2(N1)}

    它们的镜像分别为Lcd, Lsd, LcsLss,则差集Ld与和集Ls分别写为Ld=LcdLcdLsdLsd, Ls=LcsLcsLssLss,相应的差和共阵的阵元位置集合D

    D=LdLs=LcdLcdLsdLsdLcsLcsLssLss
    (18)

    要想得知差和共阵的性质,有必要先讨论差集与和集的性质,放置互质阵的差集Ld与广义互质阵CACIS的差集定义一样,除了满足文献[17]中证明过的几个性质外,差集还满足命题1中的性质。

    命题1 互差集Lcd在范围[MN˜M(N1),MNN]内的孔洞为

    Hcd={hcd|hcd=aN+b˜M,hcd<MNN,aM˜M,b1}

    命题2 和集满足以下性质:

    (1)集合Lcs的连续整数范围为[MNN+1,2MN˜M(N1)1]

    (2)在范围[MN˜M(N1),MNN]内,集合Lcs的孔洞为

    Hcs1={hcs1|hcs1=2L+aNb˜M,hcs1MN˜M(N1),1a˜M1,b1};

    在范围[2MN˜M(N1),2MNN]内,集合Lcs的孔洞为

    Hcs2={2L+aN|Ma(MN+˜MNMN)/N}{2L+b˜M|pNb(MN+˜MNMN)/˜M}

    (3)正和集Ls+=LcsLss的连续整数范围为[MNN+1,2MN+˜M(2N)1]

    命题3 差集与和集之间存在如下性质:

    (1)在范围[MN˜M(N1),MNN]内,互差集与互和集可以互相填补孔洞,即Hcs1LcdHcdLcs

    (2)差和共阵D[(2MN+˜M(2N)1),2MN+˜M(2N)1]范围内连续。

    3个命题的证明略。图2给出了(M,N)=(6,5),压缩因子p=2时DCA的4个重要集合与共阵D的结构,黑点代表阵元,×代表孔洞。从图中可以看到,自和集能够延长和集整体的连续段范围,且互差集与互和集间存在互补关系,通过让CACIS整体与原点阵元相隔L,和集整体后移了2L,在这里2L=18,这一放置操作既让互差集与互和集的孔洞互补,也避免了两者连续段的重叠而导致的自由度损失,能够最大限度上利用和集带来的自由度增益,最终得到的差和共阵D图2(e)所示。

    图 2  放置互质阵(M,N,p)=(6,5,2)

    根据命题3性质(2)给出的范围,由于2N0,因此当˜M=1时,差和共阵D能得到最长的连续整数段为[(2MNN+1),2MNN+1],此时DCA能获得最大自由度,取值为2MNN+1。以往稀疏阵的算法中较多的都是借助矢量化数据协方差矩阵得到差分共阵来进行DOA处理,所以它们所提供的自由度不会超过物理孔径[24],但差和共阵的使用能够突破这个限制,因此使用差和共阵的阵列所得到的自由度会远大于仅仅使用差分共阵得到的自由度,下面对使用差和共阵的两种阵型,DCA与原型互质阵[21]进行自由度的比较,将后者记为CA(VCAM)。在相同阵元数P下,两者子阵阵元数的最优选择以及所能获得的最大自由度如表1所示,为使两者都能获得最大的自由度,默认DCA的˜M=1, CA(VCAM)的M>2

    表 1  两种阵型的最优设计及最大自由度
    阵型表达式子阵阵元数最优选择最大自由度
    DCAP=M+N
    DOF=2MNN+1
    P为偶,P/2为偶:M=P/2+1,N=P/21(P2P)/2
    P为偶,P/2为奇:M=P/2+2,N=P/22(P2P10)/2
    P为奇:M=(P+1)/2,N=(P1)/2(P2P+2)/2
    CA(VCAM)P=M+N1
    DOF=MN+M+N1
    P为偶:M=(P+2)/2,N=P/2(P2+6P)/4
    P为奇,(P+1)/2为偶:M=(P+1)/2+1,N=(P+1)/21(P2+6P3)/4
    P为奇,(P+1)/2为奇:M=(P+1)/2+2,N=(P+1)/22(P2+6P15)/4
    下载: 导出CSV 
    | 显示表格

    在满足MN互质的条件下,借助算术平均几何平均不等式(Arithmetic Mean-Geometric Mean (AM-GM) inequality)[25],根据两阵型DOF的表达式可以得到不同阵元总数P下的阵列最优配置。互质阵的子阵阵元数至少为2个,要想DCA存在,则P7,对表1中DCA和CA(VCAM)以P为表达式的自由度进行比较,根据P的取值情况,通过简单的作差计算不难得出结论:DCA的自由度不小于CA(VCAM)且当PP12的偶数或PP9的奇数时,DCA能获得比CA(VCAM)更高的自由度。

    前文从理论分析证明中给出了DCA的诸多性质,这一节将讨论包括NA, CACIS, CADiS, CA(VCAM)和DCA在内的几种阵型的性能,为保证各阵型都能获得最大的自由度,涉及压缩子阵间距的阵型都令压缩后的子阵间距为1,CADiS两子阵间的距离为LDiS=N+1,DCA的放置距离为LDCA=(MNN+1)/2,子阵阵元数的选取均以最大化自由度为目标。

    以总阵元数P为变量,给出了P从7到99变化时,5种阵型的自由度变化曲线如图3所示。随阵元总数的增大,各阵型的自由度都越来越高,且放置互质阵DCA相较其他几种阵型自由度上升速度更快,P越大,DCA的自由度与其他阵型相隔越大,从图中可以看出,使用差和共阵的两种阵型CA(VCAM)和DCA的自由度始终大于其他几种阵型,由于DCA较CA(VCAM)更加合理地利用了和共阵的阵元位置,避免了和共阵与差共阵的阵元冗余,其在所获得的自由度上更占优势,同时DCA通过一定的放置距离拥有了近似于CACIS两倍的自由度。上文给出的有关DCA自由度比较的结论在图中也得到了验证。

    图 3  各阵型自由度随阵元总数的变化

    下面通过蒙特卡罗实验对几种阵型在不同条件变化下DOA估计的均方根误差(Root Mean Square Error,RMSE)进行对比,假设蒙特卡罗试验次数为I次,则K个信号入射时,阵列DOA估计得到的RMSE定义为

    RMSE=1IKIi=1Kk=1(ˆθikθk)2
    (19)

    其中,θk是第k个信号的真实入射方向,ˆθik是第i次实验下第k个信号的DOA估计值。在同阵元数的实验下,已有文献说明在使用共阵MUSIC算法进行DOA估计时,若CACIS与CADiS压缩后的子阵间距均为˜M=1,则前者的RMSE总是高于后者[17]。因此在本蒙特卡罗实验中,仅对除CACIS外的4种阵型进行RMSE的比对。

    观察阵元总数固定为9时,4种阵型的实验结果,以最大化自由度为目标,当P=9时,DCA的子阵阵元数为(M,N)=(5,4)。CADiS和CA(VCAM)的子阵阵元数均为(M,N)=(7,3),嵌套阵子阵的最优配置为(N1,N2)=(4,5),4种阵型CADiS, NA, CA(VCAM)和DCA所能获得的最大自由度按序依次为21, 24, 30和37。选定信号入射个数为19个以保证4种阵型均能对入射信号进行正确的DOA估计,各阵型均以首阵元为坐标原点,入射信号均匀分布在[60o,60o]内。首先固定快拍数Ns为500,伪快拍数Np=Ns,信噪比在–25 dB到25 dB内以步长2 dB变化,共阵MUSIC算法扫描间距为0.25°,进行500次独立实验得到的RMSE曲线如图4(a)所示。其他条件不变,将信噪比固定为0,快拍数Ns以步长100从起点100到2000变化,伪快拍数等于快拍数Np=Ns,得到的RMSE曲线如图4(b)所示。在同阵元数的实验中,随着信噪比和快拍数的增大,各阵型的估计误差都越来越小,且自由度越高的阵型得到的估计误差越小,DCA的高自由度使其估计性能总是4种阵型中最优的,具有最小的RMSE。

    图 4  同阵元数下各阵型的RMSE变化曲线

    在相同阵元数的条件下,各阵型由于阵元排布方式不同具有不同的阵列孔径,下面观察阵列孔径相同时,各阵型DOA估计的均方根误差,同样进行500次独立实验,对5种阵型进行RMSE的比对,各阵型在同孔径下的阵型配置如表2所示,孔径以d为单位,其中DCA用最少的阵元个数获得了最高的自由度。

    表 2  各阵型同孔径下的阵型配置
    阵型阵元总数子阵阵元数孔径自由度
    CACIS27(M,N)=(15,13)182182
    CA(VCAM)27(M,N)=(15,13)182222
    CADiS26(M,N)=(14,13)182182
    NA26(N1,N2)=(13,13)181181
    DCA23(M,N)=(12,11)182254
    下载: 导出CSV 
    | 显示表格

    假设有43个远场信号从[60o,60o]入射,其他条件不变,RMSE在–30 dB到20 dB内随信噪比的变化曲线如图5(a)所示。固定信噪比为–20 dB, RMSE随快拍数的变化曲线如图5(b)所示。从图5中不难看出同孔径条件下,各阵型的估计误差不会完全一致,这也许是因为共阵MUSIC算法是基于共阵ULA段进行处理的,使用差分共阵的CACIS, CADiS和NA,它们的最长共阵ULA段孔径受限于物理孔径,因此在同孔径条件下的实验中,三者的RMSE近似相等,而DCA在两种变化情况下均展现出了其优越的估计性能。由此可见,对于使用了差和共阵的阵型,物理孔径对其估计性能的影响不起决定性作用。

    图 5  同孔径下各阵型的RMSE变化曲线

    本文提出了一种名为放置互质阵的新型互质阵,并在差和共阵的基础上进行DOA估计,阵型把CACIS与原点处单阵元分开放置一定距离,这样能够让差共阵与和共阵的阵元位置恰好互补,避免差共阵与和共阵的阵元重叠,充分利用和共阵所提供的自由度,使得在相同的阵元数下,DCA所能获得的最大自由度近似是CACIS最大自由度的2倍。为了更好地认知DCA的共阵构成,文中分析讨论了DCA差共阵与和共阵的连续阵元及孔洞位置,结合两者关系给出了DCA所能获得自由度的闭式表达,最后的理论分析和仿真实验表明了DCA的高自由度特性及优越的DOA估计特性。

    附录1 命题1的证明

    使用反证法来证明命题1。假设集合Hcd不是Lcd的孔洞,则存在hHcd, lcdLcd, h=aN+b˜M, aM˜M,b1, lcd=Nm˜Mn, 0mM1, 0nN1,使得hcd=lcd成立,即aN+b˜M=Nm˜Mn成立,将等式化为

    N(ma)=˜M(n+b)
    (20)

    根据nb的取值范围,有1n+bN,又˜MN互质,则ma的取值必须为˜M等式才能成立,但˜MMma˜M1,无法满足等式成立条件,因此假设不成立。证毕

    附录2 命题2的证明

    (1) 设整数lcsLcs, lcs满足

    MNN+1lcs2MN˜M(N1)1
    (21)

    结合L=(MN˜M(N1))/2,将式(21)化为

    2L+˜M(N1)N+1lcs2L+MN1
    (22)

    n[0,N1],可得0˜Mn˜M(N1),根据关系式lcs=2L+Nm+˜Mn,有

    Nm=lcs2L˜Mn
    (23)

    则可得到Nm的范围为N+1NmMN1,进一步放大为N<Nm<MN,则1<m<M,因为m为整数,可得0mM1,符合互和集中m的取值范围。证毕

    (2)先证在范围[MN˜M(N1),MNN]内,集合Hcs1内的元素是Lcs的孔洞。使用反证法来证明该性质,假设Hcs1不是Lcs的孔洞,记整数hcs1Hcs1, hcs1=2L+aNb˜M, 1a˜M1,b1,则必有hcs1Lcs中某元素lcs=2L+Nm+˜Mn相等,有等式

    2L+aNb˜M=2L+Nm+˜Mn
    (24)

    成立,其中0mM1, 0nN1,将式(24)写为

    ˜MN=amn+b
    (25)

    因为Mam˜M1,则等式(25)无法成立,所以Hcs1在范围[MN˜M(N1),MNN]内是Lcs的孔洞。

    同理证明该性质的后半部分,在[2MN˜M(N1),2MNN]内,假设Hcs2不是Lcs的孔洞,则有2L+aN=2L+Nm1+˜Mn12L+b˜M=2L+Nm2+˜Mn2成立,将两等式化为

    N˜M=n1am1
    (26)
    N˜M=bn2m2
    (27)

    其中,Ma(MN+˜MNMN)/N, pNb(MN+˜MNMN)/˜M, n1,n2[0,N1], m1,m2[0,M1],对于等式(26),由于n1[0,N1],故等式无法成立。对于等式(27),bn2pNN+1,又压缩因子p2,故bn2N+1,等式也无法成立,则Hcs2在范围[2MN˜M(N1),2MNN]内是Lcs的孔洞。

    (3) 观察范围[2MN˜M(N1),2MNN]内孔洞Hcs2的元素,集合{2L+aN|Ma(MN+˜MNMN)/N}显然是自和集Lss中集合{2L+Nm|0m2(M1)}的子集,对于集合{2L+b˜M|pNb(MN+˜MNMN)/˜M},当b=pN时,得到该集合的第一个元素h1=2L+MNh1Lss也显然成立,但当b=pN+1时,得到的孔洞为h2=2L+˜M(pN+1),下面探讨自和集Lss与该孔洞的关系,给出等式如下

    2L+˜M(pN+1)=2L+Nm
    (28)
    2L+˜M(pN+1)=2L+˜Mn
    (29)

    化简为

    ˜MN=(mM)
    (30)
    pN=(n1)
    (31)

    分析可得在m[0,M1], n[0,N1]时等式(30)、式(31)均无法成立,因此h2是自和集Lss的孔洞。同理可得,当b的索引值继续增大,取b=pN+i,i1时,对应的孔洞hi+1也都是Lss的孔洞。

    根据前面的论述可以看出互和集的孔洞Hcs2有一部分是自和集Lss的子集,有一部分是自和集Lss的孔洞,由此可以得到一个结论,即自和集可以填补互和集的部分孔洞,而剩下的没被填补的孔洞是它与自和集共有的。孔洞总是位于连续阵元的两侧,互和集连续阵元右侧的孔洞随着ab取值的变大而离连续阵元越来越远,连续阵元的长度会因为孔洞的出现而被截断,由于自和集Lss无法填补b=pN+1位置的孔洞,使得正和集Ls+=LcsLss右侧最大的连续阵元位置出现在2L+(pN+1)˜M1处,代入L2MN+˜M(N2)1,结合命题的性质1)中互和集的连续范围可得,正和集Ls+的连续范围为[MNN+1,2MN+˜M(2N)1]

    附录3 命题3的证明

    (1) 要证Hcs1Lcd,即证对任意整数hcs1Hcs1,都有hcs1Lcd成立。

    已知hcs1=2L+aNb˜M, 1a˜M1,b1, hcs1满足hcs1MN˜M(N1),代入L后将不等式化为

    aNb˜M0
    (32)

    结合a的取值范围,对式(32)进行缩放,有0aNb˜M(˜M1)Nb˜M,去掉中间式有

    0(˜M1)Nb˜M
    (33)

    进一步可写为b˜M(˜M1)N<˜MN,则可得b的取值上限为b<N,因为b为整数再结合已知的b的范围,有1bN1。将L代入hcs1的表达式,有

    hcs1=MN˜M(N1)+aNb˜M=N(M˜M+a)˜M(b1)=Nm1˜Mn1
    (34)

    其中,m1=M˜M+a, n1=b1,根据ab的取值范围可得

    M˜M+1m1M1,0n1N2
    (35)

    显然,当m1n1在取值范围满足上述条件时,结合Lcd的表达式有hcs1Lcd一定成立,则Hcs1Lcd一定成立。

    同理证明HcdLcs,即证对任意整数hcdHcd,都有hcdLcs成立。对于集合Lcs,设整数lcs=2L+Nm+˜Mn属于Lcs, m[0,M1], n[0,N1],代入 L

    lcs=MN˜M(N1)+Nm+˜Mn=N(M˜M+m)+˜M(1+n)=a1N+b1˜M
    (36)

    其中,a1=M˜M+m, b1=1+n,它们的取值范围分别为M˜Ma12M˜M1, 1b1N,则可将集合Lcs重新写为Lcs={a1N+b1˜M|M˜Ma12M˜M1,1b1N}

    分析孔洞hcd=aN+b˜M,其中aM˜M,b1,由hcd<MNN

    aN+b˜M<MNN
    (37)

    根据不等式(37)可得aN<aN+b˜M<MNN<MN,则a的取值范围为M˜MaM1,不等式(37)还可写为(M˜M)N+b˜MaN+b˜M<MNN,则b˜M<˜MNN<˜MN,可得b的取值范围为1bN1。根据ab的取值范围,不难看出hcdLcs一定成立,则HcdLcs一定成立。

    (2)定义Dr=LcdLsdLcsLss为差和共阵的右半段,根据命题2的性质(3)有集合LcsLss的连续整数段为[MNN+1,2MN+˜M(2N)1],由命题3的性质(1)可知集合LcdLcs在范围[MN˜M(N1),MNN]内是连续的,最后再结合差集的性质[17],有LsdLcd, Lcd的连续整数段为[(N1),MN˜M(N1)1]。整合以上信息可得,集合Dr[(N1),2MN+˜M(2N)1]范围内是连续的。同理由它们的镜像所组成的差和共阵的左半段Dl=LcdLsdLcsLss,也具有相似的镜像性质,Dl[(2MN+˜M(2N)1),N1]内是连续的,因此差和共阵D[(2MN+˜M(2N)1),2MN+˜M(2N)1]范围内连续。证毕

  • 图  1  未覆膜阴极与覆膜阴极分界处UV-PEEM图像

    图  2  阴极微区680 ℃ TEEM像与相应的DUV-PEEM像,视野范围均为100 μm

    图  3  阴极表面TEEM像,视野范围均为50 μm

    图  4  未覆膜阴极与覆膜阴极的I-V曲线

    图  5  未覆膜阴极与覆膜阴极分界处的700 ℃ TEEM图像,视野范围320 μm

  • ZALM P and VAN STRATUM A J A. Osmium dispenser cathodes[J]. Philips Technical Review, 1966, 27(3/4): 69–75.
    GREEN M C, SKINNER H B, and TUCK R A. Osmium-tungsten alloys and their relevance to improved M-type cathodes[J]. Applications of Surface Science, 1981, 8(1-2): 13–35 doi: 10.1016/0378-5963(81)90004-0
    ARES FANG C S and MALONEY C E. Surface studies of Os/Re/W alloy-coated impregnated tungsten cathodes[J]. Journal of Vacuum Science&Technology A Vacuum Surfaces&Films, 1990, 8(3): 2329–2332 doi: 10.1116/1.576758
    ZHANG Honglai, LIU Yanwen, ZHANG Mingchen, et al. Emission and surface characteristic of ternary alloy Ir/Re/W-coated impregnated tungsten cathodes[J]. Applied Surface Science, 2005, 251(1-4): 130–133 doi: 10.1016/j.apsusc.2005.03.162
    SWARTZENTRUBER P, BALK T J, ROBERTS S, et al. Microstructural influence of OsRu thin films on dispenser cathodes[C]. IEEE Vacuum Electronics Conference, Monterey, USA, 2012: 163–164.
    SWARTZENTRUBER P D, DETISCH M J, and BALK T J. Composition and work function relationship in Os–Ru–W ternary alloys[J]. Journal of Vacuum Science&Technology A Vacuum Surfaces&Films, 2015, 33(2): 021405 doi: 10.1116/1.4905499
    阴生毅, 张永清, 张洪来, 等. 一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法[P]. 中国, ZL200710118004, 2007.

    YIN Shengyi, ZHANG Yongqing, ZHANG Honglai, et al. A kind of ternary alloy film and a method for preparing impregnated dispenser cathode coated with film[P]. China Patent ZL200710118004, 2007.
    BARIK R K, BERA A, RAJU R S, et al. Development of alloy-film coated dispenser cathode for terahertz vacuum electron devices application[J]. Applied Surface Science, 2013, 276(7): 817–822 doi: 10.1016/j.apsusc.2013.04.004
    刘燕文, 王小霞, 田宏, 等. 纳米粒子薄膜热电子发射性能[J]. 中国科学: 信息科学, 2015, 45(1): 145–156

    LIU Yanwen, WANG Xiaoxia, TIAN Hong, et al. Study on emission properties of the nanopatical films[J]. Scientia Sinica Informationis, 2015, 45(1): 145–156
    王小霞, 张永清, 丁耀根, 等. 一种用于医疗加速器栅控电子枪阴极的研制[J]. 真空科学与技术学报, 2015, 35(4): 468–473 doi: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.04.15

    WANG Xiaoxia, ZHANG Yongqing, DING Yaogen, et al. Novel type of grid-controlled electron gun for radiation therapy accelerator[J]. Chinese Journal of Vacuum Science and Technology, 2015, 35(4): 468–473 doi: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.04.15
    AURELIUS S. Activation process of impregnated dispenser cathode viewed in the large-screen emission microscope[J]. Journal of Electronics&Control, 1962, 13(5): 401–416 doi: 10.1080/00207216208937447
    WAN C, VAUGHN J M, SADOWSKI J T, et al. Scandium oxide coated polycrystalline tungsten studied using emission microscopy and photoelectron spectroscopy[J]. Ultramicroscopy, 2012, 119(2): 106–110 doi: 10.1016/j.ultramic.2011.10.001
    KORDESCH M E, VAUGHN J M, WAN C, et al. Model scandate cathodes investigated by thermionic emission microscopy[J]. Journal of Vacuum Science&Technology B, 2010, 29(4): 41–42 doi: 10.1116/1.3589442
    方厚民, 苏翘秀, 苏煦春. 铝酸盐钡钨阴极的表面研究[J]. 真空科学与技术学报, 1983(2): 91–98 doi: 10.13922/j.cnki.cjovst.1983.02.004

    FANG Houmin, SU Qiaoxiu, and SU Xuchun. A surface study of impregnated tungsten dispenser cathodes[J]. Chinese Journal of Vacuum Science and Technology, 1983(2): 91–98 doi: 10.13922/j.cnki.cjovst.1983.02.004
    LIU Yanwen, TIAN Hong, HAN Yong, et al. Study on the emission properties of the impregnated cathode with nanoparticle films[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(12): 3618–3624 doi: 10.1109/TED.2012.2219583
    杨靖鑫, 阴生毅, 王宇, 等. 阴极蒸发物电子发射现象的研究[J]. 电子与信息学报, 2011, 33(7): 1722–1726 doi: 10.3724/SP.J.1146.2010.01219

    YANG Jingxin, YIN Shengyi, WANG Yu, et al. Study on electron emission phenomenon of cathode evaporator[J]. Journal of Electronics&Information Technology, 2011, 33(7): 1722–1726 doi: 10.3724/SP.J.1146.2010.01219
    任峰, 阴生毅, 卢志鹏, 等. 深紫外激光光发射与热发射电子显微镜在热扩散阴极研究中的应用[J]. 物理学报, 2017, 66(18): 225–234 doi: 10.7498/aps.66.187901

    REN Feng, YIN Shengyi, LU Zhipeng, et al. Applications of deep ultraviolet laser photo-and thermal-emission electron microscope in thermal dispenser cathode research[J]. Acta Physica Sinica, 2017, 66(18): 225–234 doi: 10.7498/aps.66.187901
    阴生毅, 张洪来, 杨靖鑫, 等. 覆锇膜阴极表面同步辐射光电子谱 研究[J]. 电子与信息学报, 2011, 33(12): 3040–3045 doi: 10.3724/SP.J.1146.2011.00358

    YIN Shengyi, ZHANG Honglai, YANG Jingxin, et al. Study on surface of impregnated cathodes coated Os film by synchronous radiation photoelectron spectrum[J]. Journal of Electronics&Information Technology, 2011, 33(12): 3040–3045 doi: 10.3724/SP.J.1146.2011.00358
  • 期刊类型引用(10)

    1. 郑荣添,陈泽同,管孝汉,王浩,刘荣林,假冬冬. 深度学习驱动的无人机河道巡检异物监测及定位技术研究. 水力发电学报. 2025(03): 87-98 . 百度学术
    2. 郑兵,董超,胡海驹,陈焱琨,刘蔚. 基于L_0梯度平滑与图像分块聚类的海天线检测. 应用海洋学学报. 2024(01): 106-115 . 百度学术
    3. 侯志强,王卓,马素刚,赵佳鑫,余旺盛,范九伦. 长时视觉跟踪中基于双模板Siamese结构的目标漂移判定网络. 电子与信息学报. 2024(04): 1458-1467 . 本站查看
    4. 任思羽,黄琦麟,左良栋,吴瑞,蔡枫林. 面向智能航道巡检的水面目标检测算法. 重庆大学学报. 2024(04): 114-126 . 百度学术
    5. 项新建,翁云龙,谢建立,郑永平,吴善宝,许宏辉,杨斌. 基于改进YOLOv5s的水面漂浮物检测算法研究. 人民黄河. 2024(07): 85-91 . 百度学术
    6. 陈任飞,彭勇,吴剑,李昱,岳廷秀. 基于改进SSD模型和自适应滤波算法的水面漂浮物目标检测跟踪方法. 工程科学与技术. 2023(04): 119-129 . 百度学术
    7. 杨静,李斌,李少波,王崎,于丽娅,胡建军,袁坤. 脑启发式持续学习方法:技术、应用与发展. 电子与信息学报. 2022(05): 1865-1878 . 本站查看
    8. 仇祝令,查宇飞,李振宇,李禹铭,张鹏,朱川. 基于多模型蒸馏的时间正则化相关滤波跟踪算法. 系统工程与电子技术. 2022(08): 2448-2456 . 百度学术
    9. 孙志成,董一杰,胡爱兰,张瑞权. 关联动态特征的目标自适应跟踪算法. 电子技术应用. 2022(11): 57-62 . 百度学术
    10. 詹云峰,黄志斌,付波,王小龙. 基于视觉的水面背景下目标检测与跟踪算法. 科学技术与工程. 2022(33): 14809-14819 . 百度学术

    其他类型引用(10)

  • 加载中
图(5)
计量
  • 文章访问数:  1324
  • HTML全文浏览量:  331
  • PDF下载量:  32
  • 被引次数: 20
出版历程
  • 收稿日期:  2017-10-25
  • 修回日期:  2018-06-14
  • 网络出版日期:  2018-07-30
  • 刊出日期:  2018-10-01

目录

/

返回文章
返回