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氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散

马京昇 张永康 胡汉泉

马京昇, 张永康, 胡汉泉. 氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(2): 183-190.
引用本文: 马京昇, 张永康, 胡汉泉. 氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(2): 183-190.
Ma Jingshen, Zhang Yongkang, Han C. Hu. CALCIUM SURFACE DIFFUSION IN IMPREGNATED CATHODE ENHANCED BY OXYGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(2): 183-190.
Citation: Ma Jingshen, Zhang Yongkang, Han C. Hu. CALCIUM SURFACE DIFFUSION IN IMPREGNATED CATHODE ENHANCED BY OXYGEN[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(2): 183-190.

氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散

CALCIUM SURFACE DIFFUSION IN IMPREGNATED CATHODE ENHANCED BY OXYGEN

  • 摘要: 由于探测技术上的困难,至今对铝酸钡钙扩散阴极表面钙的研究极少。本文利用低压氧锈导下Ca向阴极表面的强化扩散,并借助俄歇电子能谱仪探索了Ca的行为和作用。主要结果是:(1)相当部分Ca以金属态形式存在于钨孔隙中活性物质的近表层区;(2)钙向表面扩散的数量和速度与阴极温度、氧的暴露量成正比,它是一种界面反应驱动下的强化扩散,其激活能约为1.34eV;(3)氧作用下阴极表面氧化钙的增加是导致阴极发射衰减的重要原因,而恢复中毒的再激活机制之一,则是高温下表面钙的蒸发逸离过程。
  • Zhang Yonglrang,wang Yiman, et al., Studies of surface Behavior of Dispenser Cathodes Dispenser of Glass AES Apparatus, The Proc. of the Surface Science Symposium, Oct., 1981, XEROX Palo Alto Research Center, p. 83.[2]D. Brion, J. C. Tonnerce, A. M. Shroff, Appl, Surf. Sci., 16(1983),55.[3]C. E. Maloney, C.R. K. Marrian, G. Wyss, Appl. Surf. Sci., 2(1979),284.[4]B. C. Lamartine, W. V. Lampert, T. W. Haas, Appl. Surf. Sci., 8(1981),171.[5]张永康, 真空科学与技术, 4(1984), 350.[6]张永康, 电子管技术, 1975年, 第4-5期, 第103页.[7]张永康, 朱清元, 张贻英, 电子科学学刊, 9(1987), 42.[8]张永康等, 真空科学与技术, 2(1981), 61.[9]D. Gupta, R. Campbell, P. S. Ho, Thin Films--Interdiffusion and Reaction, Ed. by J. M. Poate, K. N. Tu, J. W. Mayer, 1978,(张永康译, 薄膜的相互扩散和反应, 1983年11月, 国防工业出版社, 第7章, p. 153.[10]张永康, 王亦曼, 庞世瑾, 真空物理与技术及其在电子器件中的应用,胡汉泉, 王迁主编,下册,第十一章,国防工业出版社, 1985年, 4月, p.535.[11]A. K. Sinha, J. M. Poate, 文献[9]一书中的第11章, p.410.[12]G. A. Haas, A. Shih, R. E. Thomas, Appl. Saurf. Sci., 2(1979), 293.
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-05-18
  • 修回日期:  1988-09-01
  • 刊出日期:  1989-03-19

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