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平面薄膜场致发射的模型分析

李德昌 杨银堂 刘广钧 朱长纯

李德昌, 杨银堂, 刘广钧, 朱长纯. 平面薄膜场致发射的模型分析[J]. 电子与信息学报, 2001, 23(9): 929-932.
引用本文: 李德昌, 杨银堂, 刘广钧, 朱长纯. 平面薄膜场致发射的模型分析[J]. 电子与信息学报, 2001, 23(9): 929-932.
Li Dechang, Yang Yintang, Liu Guangjun, Zhu Changchun. MODEL STUDY OF FEE FROM PLANAR FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2001, 23(9): 929-932.
Citation: Li Dechang, Yang Yintang, Liu Guangjun, Zhu Changchun. MODEL STUDY OF FEE FROM PLANAR FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2001, 23(9): 929-932.

平面薄膜场致发射的模型分析

MODEL STUDY OF FEE FROM PLANAR FILMS

  • 摘要: 该文系统地讨论宽带隙平面薄膜的场致电子发射(FEE)的机理。基本的理论模型是电子对表面势垒的隧穿效应,同时考虑到晶格的散射和薄膜势垒中微细贯穿通道的电子发射作用。分析结果表明,宽带隙平面薄膜结构用作场致电子发射阴极,具有发射电压的阈值低,发射电子的能量分布范围小等优点。另外这种结构制作简单、材料选择范围宽、理化稳定性好,是一种理想的场致发射电子源。
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-04-01
  • 修回日期:  1999-09-08
  • 刊出日期:  2001-09-19

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