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边发光型高速发光管电极条宽度对近场特性的影响

吴冠群 沈彭年

吴冠群, 沈彭年. 边发光型高速发光管电极条宽度对近场特性的影响[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 423-432.
引用本文: 吴冠群, 沈彭年. 边发光型高速发光管电极条宽度对近场特性的影响[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 423-432.
Wu Guanqun, Shen Pengnian. THE INFLUENCE OF STRIPE GEOMETRY ON THE NEAR-FIELD PROPERTIES OF HIGH SPEED EDGE EMITTING LED[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 423-432.
Citation: Wu Guanqun, Shen Pengnian. THE INFLUENCE OF STRIPE GEOMETRY ON THE NEAR-FIELD PROPERTIES OF HIGH SPEED EDGE EMITTING LED[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 423-432.

边发光型高速发光管电极条宽度对近场特性的影响

THE INFLUENCE OF STRIPE GEOMETRY ON THE NEAR-FIELD PROPERTIES OF HIGH SPEED EDGE EMITTING LED

  • 摘要: 本文介绍了测量高速发光管的近场光强分布、发光区发光宽度和发光面积的方法;分析了电极条宽度不同时器件的发光宽度、发光面积和发散角随注入电流的变化特性;简述了器件的响应速度与电极条宽度的关系。
      关键词:
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  • Y. Pang, H. Pan, Z. Cheng, P. Shen, G. Wu and Z. Xiao, IEEE Trans. on ED, ED-30(1983), 348.[2]吴冠群,沈彭年,陈莲勇,逢永秀,光纤通信,5(1981), 70.[3]M. Ettenberg, K. C. Hudson, IEEE J. of QE, QE-9(1973), 987.[4]P. A. Kirkby, A. R. Goodwin, G. H. B. Thompson and P. R. Selway, ibid., QE-13(1977), 705.[5]C.Y. Chen, S. Wang, Appl. Phys. Lett., 13(1980), 257.[6]何梁昌,吴冠群,沈彭年,肖宗耀,通信学报,3(1982), 88.[7]Z. I. Alferov, V. M. Andreev, Sov. Phys. Semicond., 3(1970), 1243.[8]W. P. Dumke, IEEE J. of QE, QE-11(1975), 400.[9]H. Youzu, I. Sakuma, Jpn. J. Appl. Phys., 12(1983), 1585.[10]J. A. Borsuk, IEEE Trans. on ED, ED-30(1974), 296.[11]王德宁,昊冠群,沈彭年,科技通讯,4(1985), 51.[12]Henry Kresser, J. K. Butier, Semiconductor Lasers and Heterojunction LEDs, Academic Press, New York, (1977), 257.
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-10-18
  • 修回日期:  1986-04-08
  • 刊出日期:  1986-11-19

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