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钡钨阴极的性能与多孔钨结构的关系

吴兆皓

吴兆皓. 钡钨阴极的性能与多孔钨结构的关系[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 442-448.
引用本文: 吴兆皓. 钡钨阴极的性能与多孔钨结构的关系[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 442-448.
Wu Zhaohao. THE RELATIONS OF BARIUM-TUNGSTEN CATHODE PROPERTIES TO THE TUNGSTEN MATRIX STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 442-448.
Citation: Wu Zhaohao. THE RELATIONS OF BARIUM-TUNGSTEN CATHODE PROPERTIES TO THE TUNGSTEN MATRIX STRUCTURE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 442-448.

钡钨阴极的性能与多孔钨结构的关系

THE RELATIONS OF BARIUM-TUNGSTEN CATHODE PROPERTIES TO THE TUNGSTEN MATRIX STRUCTURE

  • 摘要: 本文对渍制钡钨阴极多孔钨结构与发射和蒸发性能的有关数据进行了分析研究。结果表明,对于多孔钨结构,钨粉的颗粒度和孔隙的孔径大小决定了小孔内表面的总面积和钡在钨表面上的扩散路程,钡输送通道的大小和长短。这些因素对钡钨阴极的性能和工作机理有密切关系,但仅用多孔钨孔隙度来表征阴极性能那是不够严格的。最后我们提出了对于不同用途的阴极应采用的多孔钨结构。
      关键词:
    •  
  • 吴长贵,真空电子学会第四届学术年会论文摘要,1982年,第137页.[2]吴兆皓,同上,第133页.[3]J. L.Cronin, IEE Proc. pt. I, 28(1981), 19.[4]I. Brodie and R. O. Jerkins, J. of Electronics, 2(1956) 1, 33.[5]I. Brodie and R. O.Jerkins, British J. Appl. Phys., 8(1957), 27.[6]I. Brodie and R. O. Jerkins, J. of Electronics, 2(1957) 5, 457.[7]K. Dudley, Advances in Electron Tube Techniques, 5th National conference, 1961, p. 154.[8]I. Brodie and R. O. Jerkins and W. G. Trodden, J. of Electronics and Control, 6(1959) 2, 140.[9]J. H. Affleck, Advances in Electron Tube Techeniques, 6th National Conference, 1962, 193.[10]国光电子管厂二车间,前向波放大管和钡钨阴极经验交流资料汇编,1972年,第208页.
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-04-16
  • 修回日期:  1986-05-12
  • 刊出日期:  1986-11-19

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