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钼基和铪基上溅射碳膜的某些特性

毕建明 曹蕴珠 陈锐 青先泽

毕建明, 曹蕴珠, 陈锐, 青先泽. 钼基和铪基上溅射碳膜的某些特性[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(1): 103-108.
引用本文: 毕建明, 曹蕴珠, 陈锐, 青先泽. 钼基和铪基上溅射碳膜的某些特性[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(1): 103-108.
Bi Jiangming, Cao Yunzhe, Chen Rui, Qing Xianze. PROPERTIES OF SPUTTERED CARBON FILMS ON Mo AND Hf SUBSTRACTES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 103-108.
Citation: Bi Jiangming, Cao Yunzhe, Chen Rui, Qing Xianze. PROPERTIES OF SPUTTERED CARBON FILMS ON Mo AND Hf SUBSTRACTES[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(1): 103-108.

钼基和铪基上溅射碳膜的某些特性

PROPERTIES OF SPUTTERED CARBON FILMS ON Mo AND Hf SUBSTRACTES

  • 摘要: 微波管电极表面涂复碳膜能改善管子性能。本文介绍了采用高频溅射热解石墨的方法在Mo基和Hf基上形成碳膜的一些研究情况。包括碳膜的制造、成分分析,次级发射性能和热辐射特性以及在真空系统中随温度上升释放气体的质谱分析等。主要结果有:(1)复碳钼有明显的吸氧效应;(2)钼、铪上复碳后次级发射系数降为max 0.7;(3)高温时(930℃)钼基上的碳膜会很快消失,但铪基上的碳膜到1050℃仍无明显变化;(4)复碳钼在高温时有一定量的CH4形成。
  • A. Shik, C. R. K. Marrian, G. A. Haas, Appl. Sur.Sci., 24(1985), 475-487.[2]Willian Peter, J. Appl. Phys., 56(1984), 1546-1547.[3]D. Ruzic, R. Moore, D. Manos, S. Cohen, J.Vac. Sci. Tech., 20(1982), 1313-1316.
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-01-31
  • 修回日期:  1988-04-01
  • 刊出日期:  1990-01-19

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