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非晶硅光电导响应的动力学研究(Ⅰ)强电场下的光电导响应

海宇涵 周忠毅

海宇涵, 周忠毅. 非晶硅光电导响应的动力学研究(Ⅰ)强电场下的光电导响应[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 248-257.
引用本文: 海宇涵, 周忠毅. 非晶硅光电导响应的动力学研究(Ⅰ)强电场下的光电导响应[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 248-257.
Hai Yu-Han, Zhou Zhong-Yi. THE DYNAMICS IN PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF AMORPHOUS SILICON (Ⅰ) The Photoconduction Response under Strong Electric Field[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(4): 248-257.
Citation: Hai Yu-Han, Zhou Zhong-Yi. THE DYNAMICS IN PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF AMORPHOUS SILICON (Ⅰ) The Photoconduction Response under Strong Electric Field[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(4): 248-257.

非晶硅光电导响应的动力学研究(Ⅰ)强电场下的光电导响应

THE DYNAMICS IN PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF AMORPHOUS SILICON (Ⅰ) The Photoconduction Response under Strong Electric Field

  • 摘要: 本文从动力学的观点出发,研究了各种条件下的光电导响应,以及有关的效应。本篇只讨论强电场下的光电导响应。 我们测量了不同照度和电场下的瞬态响应,发现强光区,在一定强电场下,时间常数0随照度F的-0.5次方变化(0=F-0.5)。弱光区时间常数不变,在一定照度下,上升时间随电场指数变化;下降时间不变。由于晶体中的一些概念已不适用于非晶硅的情况,我们从Mott-CFO模型出发,用速率方程推导出弱光和强光照射下的光电导响应公式,较好地解释了实验结果。
      关键词:
    •  
  • R. C. Chittiek et al., J. Eleetrochem. Soc., 116(1969), 77.[3]Proc. 8th International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, J. Non-Cryst.Solids, V35 V36, ptⅠand ptⅡ (1980).[4]H. Fritzsche et al.,Solid State Technology, Jan. 1978, p. 55.[6]黄昆,谢希德,半导体物理学,科学出版社,1958.[7]W. E. Spear et al., J. Non-Cryst. Solids, 15(1974), 410.[9]E. A. Davis and N. F. Mott, Phil. Mag., 22(1970), 903.[10]M. D. Tabak et al., Phys. Rev. 173(1968), 899.[11]D.M.Pai et al., Phys. Rev., 173(1968). 729.[12]E. A. Davis, J. Non-Cryst. Solids, 4(1970), 107.[14]R. Willians and R. S. Crandall, RCA Rev., 40(1979), 371.[16]W. E. Spear et al., Phil. Ma-g. B, 41(1980). 419.[18]R. 1. Loveland et al., J. Non-Cryst. Solids, 13(1973/74), 55.
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-09-18
  • 修回日期:  1982-03-02
  • 刊出日期:  1982-07-19

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