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同型外延材料表面光伏法测试的分析

张秀淼 贺国根 宋加涛

张秀淼, 贺国根, 宋加涛. 同型外延材料表面光伏法测试的分析[J]. 电子与信息学报, 1993, 15(1): 103-107.
引用本文: 张秀淼, 贺国根, 宋加涛. 同型外延材料表面光伏法测试的分析[J]. 电子与信息学报, 1993, 15(1): 103-107.
Zhang Xiumiao, He Guogen, Song Jiatao. ANALYSIS OF THE SURFACE PHOTO-VOLTAGE METHOD MEASUREMENTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(1): 103-107.
Citation: Zhang Xiumiao, He Guogen, Song Jiatao. ANALYSIS OF THE SURFACE PHOTO-VOLTAGE METHOD MEASUREMENTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1993, 15(1): 103-107.

同型外延材料表面光伏法测试的分析

ANALYSIS OF THE SURFACE PHOTO-VOLTAGE METHOD MEASUREMENTS

  • 摘要: 本文应用数值计算方法研究了表面光电压是表面非平衡少子浓度的单调函数这一假设对于同型外延材料的可应用性。我们发现这一假设对该材料一般地说并不成立。因此在使用等光伏表面光伏法测试同型外延材料少子扩散长度时一般不应把表面非平衡少子浓度视为常数。在文中,我们也分析了可以把表面非平衡少子浓度作常数处理的条件。
  • A. M. Goodman, J. Appl. Phys., 32(1961)12, 2550-2552.[2]S. C. Choo, A. C. Sanderson, Solid-St. Electron., 13(1970)5, 609-617.[3]S. S. Li, Appl. Phys. Lett, 29(1976)7, 126-127.[4]M. K. Alam, Y. T. Yeow, Solid-St. Electron., 24(1981)12, 1117-1119.[5]W. E. Phillips, Solid-St. Electron., 15(1972)10, 1.097-1102.[6]Annuai Book of ASTM Standards on Electronics, Part 43, F391, pp. 770-775, M. D. Easton (1978).[7]E. O. Johnson, Phys. Rev., 111(1958), 153-166.[8]T. S. Moss, J. Electron. Cons, 1(1955), 126-133.[9]M. K. Alam, Y. T. Yeow, Appl. Phys. Lett., 37(1980)5, 469-470.[10]T. I. Seidman, S. C. Choo, Solid-St. Electron., 15(1972)11, 1229-1235.
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-07-23
  • 修回日期:  1992-03-30
  • 刊出日期:  1993-01-19

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