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-Fe2O3薄膜的制备、结构和气敏特性

严北平 彭军 柴常春

严北平, 彭军, 柴常春. -Fe2O3薄膜的制备、结构和气敏特性[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(5): 506-511.
引用本文: 严北平, 彭军, 柴常春. -Fe2O3薄膜的制备、结构和气敏特性[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(5): 506-511.
Yan Beiping, Peng Jun, Chai Changckun. PREPARATION,STRUCTURE AND GAS SENSING PROPERTIES OF Fe2O3 THIN FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(5): 506-511.
Citation: Yan Beiping, Peng Jun, Chai Changckun. PREPARATION,STRUCTURE AND GAS SENSING PROPERTIES OF Fe2O3 THIN FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(5): 506-511.

-Fe2O3薄膜的制备、结构和气敏特性

PREPARATION,STRUCTURE AND GAS SENSING PROPERTIES OF Fe2O3 THIN FILMS

  • 摘要: 采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe2O3薄膜。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度。研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤气和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度,其检测下限可达1ppm,而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感,具有优良的选择性。
  • Matsuoka M, Nakatani Y, Ochido H. Nat. Tech. Rep., 1978, 24(4): 461-464.[2]Nakatani Y, Matsuoka M. Jpn[J].J. Appl. Phys.1982, 21(12):758-760[3]Yamazaki T, Wada S, Noma T, Suzuki T. Gas Sensing Properties of Ultrathin Zinc Oxide Films. Technical Digest of the Fourth International Meeting[4]on Chemical Sensors. Tokyo, Japan: September 13-17, 1992, 672-673.[5]Matsushima S, et al. NO2 Gas Sensing Properties of Ga-Doped ZnO Thin Film. Technical Digest of the Fourth International Meeting[6]on Chemical Sensors. Tokyo, Japan: September 13-[7]1992. 704-705.[8]Maekawa T, et al. Sensors and Actuators, 1992, B9(1): 63-69.[9]Demarne V, Grisel A. Sensors and Actuators, 1990, B1(1-6): 87-91.[10]Xu J Q, Shen Y S. Gas Sensitive Character of UFP -Fe2O3 made by PCVD. Technica3 DiResi of the Fourth International Meeting[11]on Chemical Sensors. Tokyo, Japan: September 13-17,1992,766-767.
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-12-06
  • 修回日期:  1994-05-24
  • 刊出日期:  1995-09-19

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