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X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

刘小利 孙忠良

刘小利, 孙忠良. X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器[J]. 电子与信息学报, 1997, 19(3): 420-423.
引用本文: 刘小利, 孙忠良. X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器[J]. 电子与信息学报, 1997, 19(3): 420-423.
Liu Xiaoli, Sun Zhongliang. X-BAND DRO WITH LOW PHASE NOISE OPERATING IN HIGH-ORDER MODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1997, 19(3): 420-423.
Citation: Liu Xiaoli, Sun Zhongliang. X-BAND DRO WITH LOW PHASE NOISE OPERATING IN HIGH-ORDER MODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1997, 19(3): 420-423.

X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

X-BAND DRO WITH LOW PHASE NOISE OPERATING IN HIGH-ORDER MODE

  • 摘要: 本文采用介质谐振器(DR)的高阶模式(TE021模式),研制出振荡频率为10.7GHz的并联反馈型介质稳频振荡器(DRO).由于可以获得很高的有载Q值,振荡器具有良好的相位噪声性能(偏离载频20kHz处-88dBc/Hz)。
  • 潘庆为.双介质谐振腔FET振荡器.推广与应用微波介质谐振器学术交流会论文集.西安:1987, 95-99.[2]费元春,陈世伟,杨士仕,等.徽波固态频率源.北京:国防工业出版社,1994, 52-55.[3]Kajfez D, Guillon P. Dielectric Resonators US: Artech House, Inc. 1986, 65-110.[4]Gross W, Glandorf F J. Design of series feedback millimeter wave oscillators employing whispering gallery mode dielelctric resonators, Proc. EUMC. (Helsinki): 1992, 491-496.[5]Hafner E. The effects of noise in oscillators, Proc. IEEE, 1966, 54(2): 233-237.
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-07-04
  • 修回日期:  1996-06-13
  • 刊出日期:  1997-05-19

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