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长波阈为1.65m的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计

陶兆民

陶兆民. 长波阈为1.65m的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(5): 309-311.
引用本文: 陶兆民. 长波阈为1.65m的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计[J]. 电子与信息学报, 1982, 4(5): 309-311.
Tao Zhao-Min. THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65m THRESHOLD WAVELENGTH[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(5): 309-311.
Citation: Tao Zhao-Min. THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65m THRESHOLD WAVELENGTH[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1982, 4(5): 309-311.

长波阈为1.65m的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计

THE COMPOSITIONAL STRUCTURE DESIGN OF A NEGATIVE ELECTRON AFFINITY TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODE WITH 1.65m THRESHOLD WAVELENGTH

  • 摘要: 正 透射式负电子亲和势GaAs光阴极已应用于成像器件。由于GaAs的禁带宽度为1.42eV,长波阈约为0.9m。因此透射式负电子亲和势GaAs光阴极的工作波长范围为0.40.9m。迄今尚未见报道长波阈大于1m的透射式负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物光
      关键词:
    •  
  • J. C. Richard and E. Roaux, Vacuum, 30(1980), 549.[2]陶兆民,电子学通讯,3(1981), 132.[3]R. L. Moon et al., J. Electronic Materials 3(1974), 640.
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-12-30
  • 修回日期:  1982-02-03
  • 刊出日期:  1982-09-19

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