[1] 王茂祥, 吴宗汉, 孙承休, 章继高. 双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象. 电子与信息学报, 2000, 22(3): 492-495.
[2] 俞建华, 孙承休, 王启明. MIM隧道发光二极管的电子输运研究. 电子与信息学报, 2000, 22(1): 144-150.
[3] 丁扣宝, 张秀淼, 石国华, 孙勤生, 施建青. 电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 334-336.
[4] 丁扣宝, 张秀淼. 深能级中心的电场增强载流子产生效应. 电子与信息学报, 1994, 16(1): 61-66.
[5] 郭康瑾, 杜根娣. InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究. 电子与信息学报, 1991, 13(6): 611-617.
[6] 梁振宪, 罗晋生. 注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷. 电子与信息学报, 1991, 13(1): 65-70.
[7] 张桂成, . GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 333-336.
[8] 李维旦, 潘慧珍. InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散. 电子与信息学报, 1987, 9(6): 571-576.
[9] 周晓军, 张义德. 阴极发光仪电子枪. 电子与信息学报, 1987, 9(4): 364-367.
[10] 陈开茅, 王忠安. 硅中铜的深能级研究. 电子与信息学报, 1987, 9(3): 256-263.
[11] 张桂成, 沈彭年. InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 435-440.
[12] 吴冠群, 沈彭年. 边发光型高速发光管电极条宽度对近场特性的影响. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 423-432.
[13] 逄永秀, 孙炳玉. Cd和Zn在InP中扩散的研究. 电子与信息学报, 1985, 7(4): 297-303.
[14] 杨易, 邬祥生, 李润身, 谭儒环, 李允平, 水海龙. GaInAsP/InP异质结液相外延层晶格匹配的研究. 电子与信息学报, 1985, 7(5): 395-400.
[15] 黎锡强, 孙炳玉. 砷化镓面发光管输出光功率某些问题的探讨. 电子与信息学报, 1985, 7(3): 220-226.
[16] 杜永昌, 张玉峰, 杨大同, 张光华, 韩汝琦. 用深能级瞬态电容谱测定掺磷-Si:H的隙态密度. 电子与信息学报, 1984, 6(5): 417-421.
[17] 张桂成, 徐少华, 水海龙. Zn在InP中低温扩散的研究. 电子与信息学报, 1983, 5(2): 95-99.
[18] 邬祥生, 杨易, 陈沛然, 徐少华, 李允平, 胡道珊. GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位. 电子与信息学报, 1982, 4(4): 242-247.
[19] 水海龙, 张桂成, 邬祥生, 陈启屿, 徐少华, 杨易, 胡道珊. 1.3m InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究. 电子与信息学报, 1982, 4(5): 286-292.
[20] 泮慧珍, 张桂成, 徐少华, 逄永秀, 程宗权, 富小妹, 朱黎明, 胡道珊. 砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制. 电子与信息学报, 1981, 3(1): 22-28.